寫入時，通過給柵極加上高電壓vpp，如圖1所示，向浮置柵注入電荷。注人后的電荷由于不具備穿透硅氧化膜能壁的能量·因而只能維持現狀。

圖1 uv－eprom的寫入

　　當浮置柵接收到紫外線的照射，浮置柵中的電子接收了紫外線光量子的能量，則電子變成具有穿透硅氧化膜能壁能量的熱電子。如圖2所示，熱電子穿透硅氧化膜，流向基板和柵極，恢復為擦除狀態。uv-eprom的擦除操作，只能通過接收紫外線的照射來進行，而不能進行電子擦除。也就是說，uv-eprom只能夠進行由“1”向“0”改變比特數，而在反方向上．除擦除芯片全部內容的方法以外，再沒有其他的方法。

圖2 uv-eprom的擦除

　　我們知道，光的能量與光的波長成反比例關系，為了讓電子成為熱電子，從而具有穿透氧化膜的能量，就非常需要波長較短的光即紫外線的照射。由于擦除時間決定于光量子的數目，因而即使在波長較短的情況下，也不能縮短擦除時間。一般地，當波長為400oa（400nm）左右時才開始進行擦除。在3000a左右基本達到飽和。低于3000a以后，波長即使再短，對于擦除時間也不會產生什么影響。

　　uv－eprom擦除的標準一般為接受波長2537a、12 000μw／cm²的紫外線15～20分鐘左右的照射，即可完成其擦除操作。

　　根據擦除機制可知，即使得到熱能，浮置柵電荷的消失也是發生在某一概率下。其發生的概率是隨著器件絕對溫度的上升以指數函數遞增的。

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