單異質結激光器可以分為同型異質結（n－n或p－p）和異型異質結（n－p或p-n），圖說明了能帶結構情況。

　　圖 單異質結激光器能帶結構示意圖

　　以n－n同型單異質結激光器能帶為例，當兩種半導體材料緊密接觸時形成異質結時，由于禁帶寬度大的n型半導體的費米能級比禁帶寬度小的高，所以電子將從前者向后者流動。結果在禁帶寬度小的n型半導體一邊形成了電子的積累層，而另外—邊形成了耗盡層。由此形成了值為le，的勢壘層。在一定電流注入下，有源層積累的非平衡載流子濃度將增加。單異質結激光器的閾值電流密度比同質結低一個數量級，并實現了在室溫下斷續工作，因而得到了一些實際應用。

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