半導體激光簡介
發布時間:2008/12/3 0:00:00 訪問次數:585
激光(laser)是“受激輻射光放大”的簡稱,是一種亮度極高、方向性和單色性很好的相干光輻射。產生激光的躍遷過程是:自發輻射、受激吸收與受激輻射,可以用一個簡單的兩能級系統來定性說明,如圖1所示。在這個兩能級系統中e)是基態,馬是激發態。電子在這兩個能級之間的躍遷必定伴隨著吸收或發射頻率為v的光子,且hv=e2-e1。在直接帶隙半導體中,在熱平衡條件下,導帶和價帶內分別占有一定的電子和空穴。而電子處于激發態時不穩定的原子必然會躍遷回到基態,即導帶電子以一定的幾率隨機地躍遷到價帶與空穴復合,并以光子形式釋放出能量。這種不受外界因素的作用而發射光子的過程稱為自發輻射,如圖1(a)所示。這是半導體發光二極管的工作基礎。在常溫下,大部分原子處于基態。當有適當能量(hv=e2一e1)的光子與半導體作用時,可以使處于基態的原子吸收光子進入激發態馬。這個過程就是受激吸收,如圖1(b)所示。處于激發態碭的原子受到另一個具有能量hr的光子作用時,受激原子立即躍遷到基態e1,并發射出一個與入射光具有相同特征(如頻率、相位、方向和偏振態等)的光子。這種躍遷過程稱為受激輻射,如圖1(c)所示。
圖1 能級馬與ey之間的基本躍遷過程
當上述系統處于恒定的頻率為v的光子流輻射場作用時,能級e1與馬之間光的受激吸收與受激輻射是同時存在的。如果處在激發態馬的電子數大于處于基態e2的原子數,則在光子作用下,受激輻射將超過受激吸收過程。這樣就使得系統發射的能量為hv的光子數將大于進入系統的光子數。這種現象稱為光量子放大。通常把這種處在激發態馬(高能級)的電子數大于處于基態e1(低能級)的電子數的狀態稱為粒子數反轉或分布反轉。要產生激光,必須采取措施,使系統實現粒子數反轉的狀態。根據費米分布相關理論,容易推導出分布反轉的必要條件
式中,enf和epf分別表示電子和空穴的準費米能級,凡為禁帶寬度。該式表明,要產生受激輻射,必須使電子和空穴的準費米能級之差大于入射光子的能量hv,且hv≥g。
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激光(laser)是“受激輻射光放大”的簡稱,是一種亮度極高、方向性和單色性很好的相干光輻射。產生激光的躍遷過程是:自發輻射、受激吸收與受激輻射,可以用一個簡單的兩能級系統來定性說明,如圖1所示。在這個兩能級系統中e)是基態,馬是激發態。電子在這兩個能級之間的躍遷必定伴隨著吸收或發射頻率為v的光子,且hv=e2-e1。在直接帶隙半導體中,在熱平衡條件下,導帶和價帶內分別占有一定的電子和空穴。而電子處于激發態時不穩定的原子必然會躍遷回到基態,即導帶電子以一定的幾率隨機地躍遷到價帶與空穴復合,并以光子形式釋放出能量。這種不受外界因素的作用而發射光子的過程稱為自發輻射,如圖1(a)所示。這是半導體發光二極管的工作基礎。在常溫下,大部分原子處于基態。當有適當能量(hv=e2一e1)的光子與半導體作用時,可以使處于基態的原子吸收光子進入激發態馬。這個過程就是受激吸收,如圖1(b)所示。處于激發態碭的原子受到另一個具有能量hr的光子作用時,受激原子立即躍遷到基態e1,并發射出一個與入射光具有相同特征(如頻率、相位、方向和偏振態等)的光子。這種躍遷過程稱為受激輻射,如圖1(c)所示。
圖1 能級馬與ey之間的基本躍遷過程
當上述系統處于恒定的頻率為v的光子流輻射場作用時,能級e1與馬之間光的受激吸收與受激輻射是同時存在的。如果處在激發態馬的電子數大于處于基態e2的原子數,則在光子作用下,受激輻射將超過受激吸收過程。這樣就使得系統發射的能量為hv的光子數將大于進入系統的光子數。這種現象稱為光量子放大。通常把這種處在激發態馬(高能級)的電子數大于處于基態e1(低能級)的電子數的狀態稱為粒子數反轉或分布反轉。要產生激光,必須采取措施,使系統實現粒子數反轉的狀態。根據費米分布相關理論,容易推導出分布反轉的必要條件
式中,enf和epf分別表示電子和空穴的準費米能級,凡為禁帶寬度。該式表明,要產生受激輻射,必須使電子和空穴的準費米能級之差大于入射光子的能量hv,且hv≥g。
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