采用P通道MOSFET管和具有穩定標識的DC/DC
發布時間:2009/1/10 0:00:00 訪問次數:1305
這種方法相對其他方法具有原理簡單、增加輔助器件少的特點,通過采用p通道mosfet管和具有穩定標識輸出的 dc/dc電源模塊來實現。p通道mosfet管作為電源分配開關,dc/dc的電源的穩定狀態輸出引腳(pg:低電平表示電 源達到理想值)作為電源分配開關的控制信號,控制dsp的i/o供電,如圖1所示。
在上電過程中,i/o供電電源經過mosfet管連接到外部電源上,外部電源通過dc/dc模塊變換后作為內核電源。只 有當內核電源的穩定狀態輸出引腳輸出低電平時,才會接通外部i/o電源,保證了內核先于i/o供電。
在掉電過程中,由于外部供電線路中某些容性器件的存在,外部電源電壓由正常值到0狀態會有一個過程。因此, 當外部電源降低到dc/dc模塊的輸出電壓以下時,穩定狀態輸出引腳(pg)會輸出高電平從而關閉mosfet,關閉i/o電源。然后外部電源繼續降低,dc/dc輸出也隨之降低從而使內核電源斷電。這樣就控制了系統的掉電次序。
圖1 內核和i/o電源均為3.3 v供電的dsp系統
這種方法采用p通道mosfet管作為電源分配開關,以514465為例,該器件有一個大約9 mω的回流吸收電阻。當g端電壓大于2.5 v時(so-8封裝),mosfet管導通允許有幾安培的電流。對于不同封裝的514465器件,導通電壓和最大允許的電流也有所區別,可以根據需要選擇合適的封裝。此外,選擇p通道mosfet管也要注意其內阻,必須保證內阻上的壓降不能大于通過mosfet管電壓的1%~2%。此外,在電路設計時還必須保證pg能夠正確地打開mosfet管。由于大部分器件的pg都是集電極開路(open drain),為保證當pg處于高阻狀態能夠關斷mosfet管,需要增加一個上拉電阻,如圖1所示。
歡迎轉載,信息來源維庫電子市場網(www.dzsc.com)
這種方法相對其他方法具有原理簡單、增加輔助器件少的特點,通過采用p通道mosfet管和具有穩定標識輸出的 dc/dc電源模塊來實現。p通道mosfet管作為電源分配開關,dc/dc的電源的穩定狀態輸出引腳(pg:低電平表示電 源達到理想值)作為電源分配開關的控制信號,控制dsp的i/o供電,如圖1所示。
在上電過程中,i/o供電電源經過mosfet管連接到外部電源上,外部電源通過dc/dc模塊變換后作為內核電源。只 有當內核電源的穩定狀態輸出引腳輸出低電平時,才會接通外部i/o電源,保證了內核先于i/o供電。
在掉電過程中,由于外部供電線路中某些容性器件的存在,外部電源電壓由正常值到0狀態會有一個過程。因此, 當外部電源降低到dc/dc模塊的輸出電壓以下時,穩定狀態輸出引腳(pg)會輸出高電平從而關閉mosfet,關閉i/o電源。然后外部電源繼續降低,dc/dc輸出也隨之降低從而使內核電源斷電。這樣就控制了系統的掉電次序。
圖1 內核和i/o電源均為3.3 v供電的dsp系統
這種方法采用p通道mosfet管作為電源分配開關,以514465為例,該器件有一個大約9 mω的回流吸收電阻。當g端電壓大于2.5 v時(so-8封裝),mosfet管導通允許有幾安培的電流。對于不同封裝的514465器件,導通電壓和最大允許的電流也有所區別,可以根據需要選擇合適的封裝。此外,選擇p通道mosfet管也要注意其內阻,必須保證內阻上的壓降不能大于通過mosfet管電壓的1%~2%。此外,在電路設計時還必須保證pg能夠正確地打開mosfet管。由于大部分器件的pg都是集電極開路(open drain),為保證當pg處于高阻狀態能夠關斷mosfet管,需要增加一個上拉電阻,如圖1所示。
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