AFE5808
發布時間:2011/4/29 9:53:38 訪問次數:2389
AFE5807 與 AFE5808 的其他重要特性與優勢包括:
• 集成型 CW 多普勒混頻器與求和放大器的近載波相位噪聲極低,在 2.5 MHz 載波的 1 KHz 下不足 -155 dBc/Hz,可簡化 CW 波束形成設計;
• AFE5808 是一款信噪比 (SNR) 為 77 dBFS 的高性能解決方案,支持 0.75 nV/rtHz 的低噪聲優化、每通道 149 mW 的功耗、65 MSPS 以及 14 位模數轉換器 (ADC);
• 2 款器件都集成以下 8 通道組件:具有 24/18/12 dB 增益設置的低噪聲放大器 (LNA),支持 0.25/0.5/1 Vpp 線性輸入范圍。50、100、200 或 400 歐姆的有源終端支持各種輸入振幅,可充分滿足不同類型的變送器需求;電壓控制衰減器 (VCA) 與支持總體最大增益達54 dB的可編程增益放大器 (PGA) 可實現優異的動態范圍;具有 10、15、20 以及 30 MHz 可選帶寬的三階線性相位低通濾波器 (LPF);12 位與 14 位 ADC,具有高達 65 MSPS 的 LVDS;可編程模式可優化各種影像模式的功耗與性能。
AFE5807 與 AFE5808 進一步壯大了 TI AFE58xx 全集成超聲波模擬前端的產品陣營,該系列包括面向便攜式至中端超聲波的 AFE5805 與 AFE5804 以及面向手持超便攜式超聲波的 AFE5801 和 AFE5851 等。所有 AFE58xx 器件的傳輸端都采用了 TI TX810 T/R開關,加上 TI 面向超聲波應用的全系列嵌入式處理、模擬以及電源管理解決方案,可幫助制造商加速創新超聲波系統的上市進程。(TI) 宣布面向中高端頻譜多普勒超聲波設備推出 2 款具有連續波 (CW) 多普勒混頻器的最新全面集成型模擬前端 (AFE),集成型 CW 模式還可在超聲波影像中測量并顯示血流速度。上述最新器件比同類競爭解決方案小 25%,可為更高通道數量的解決方案確保緊湊的系統外形。
在超聲應用中,影響質量直接影響診斷的精確度,AFE5808具有 0.75nV/rtHz 的最佳噪聲性能,可充分滿足超聲波設計人員對出色性能及影像質量的需求。由于這一方案的VCA電路部分采用TI的硅鍺雙極性(SiGe BiCom3)工藝,噪聲性能得到有效的降低。其CW電路部分則通過無源電路實現,也不會產生額外的噪聲和功耗。另一款產品AFE5807的特點是功耗較低:在1.1nV/rtHz、40MSPS 與 12 位采樣情況下每通道功耗為 88mW。
AFE5807 與 AFE5808 的其他重要特性與優勢包括:
• 集成型 CW 多普勒混頻器與求和放大器的近載波相位噪聲極低,在 2.5 MHz 載波的 1 KHz 下不足 -155 dBc/Hz,可簡化 CW 波束形成設計;
• AFE5808 是一款信噪比 (SNR) 為 77 dBFS 的高性能解決方案,支持 0.75 nV/rtHz 的低噪聲優化、每通道 149 mW 的功耗、65 MSPS 以及 14 位模數轉換器 (ADC);
• 2 款器件都集成以下 8 通道組件:具有 24/18/12 dB 增益設置的低噪聲放大器 (LNA),支持 0.25/0.5/1 Vpp 線性輸入范圍。50、100、200 或 400 歐姆的有源終端支持各種輸入振幅,可充分滿足不同類型的變送器需求;電壓控制衰減器 (VCA) 與支持總體最大增益達54 dB的可編程增益放大器 (PGA) 可實現優異的動態范圍;具有 10、15、20 以及 30 MHz 可選帶寬的三階線性相位低通濾波器 (LPF);12 位與 14 位 ADC,具有高達 65 MSPS 的 LVDS;可編程模式可優化各種影像模式的功耗與性能。
AFE5807 與 AFE5808 進一步壯大了 TI AFE58xx 全集成超聲波模擬前端的產品陣營,該系列包括面向便攜式至中端超聲波的 AFE5805 與 AFE5804 以及面向手持超便攜式超聲波的 AFE5801 和 AFE5851 等。所有 AFE58xx 器件的傳輸端都采用了 TI TX810 T/R開關,加上 TI 面向超聲波應用的全系列嵌入式處理、模擬以及電源管理解決方案,可幫助制造商加速創新超聲波系統的上市進程。(TI) 宣布面向中高端頻譜多普勒超聲波設備推出 2 款具有連續波 (CW) 多普勒混頻器的最新全面集成型模擬前端 (AFE),集成型 CW 模式還可在超聲波影像中測量并顯示血流速度。上述最新器件比同類競爭解決方案小 25%,可為更高通道數量的解決方案確保緊湊的系統外形。
在超聲應用中,影響質量直接影響診斷的精確度,AFE5808具有 0.75nV/rtHz 的最佳噪聲性能,可充分滿足超聲波設計人員對出色性能及影像質量的需求。由于這一方案的VCA電路部分采用TI的硅鍺雙極性(SiGe BiCom3)工藝,噪聲性能得到有效的降低。其CW電路部分則通過無源電路實現,也不會產生額外的噪聲和功耗。另一款產品AFE5807的特點是功耗較低:在1.1nV/rtHz、40MSPS 與 12 位采樣情況下每通道功耗為 88mW。
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