三星電子繼2009年全球率先量產利用133Mbp傳輸速度啟動的 30納米級32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量產400Mbps傳輸速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。 

Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特點，能夠實現400Mbps數據處理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析認為，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望擴大4G智能手機、平板電腦、SSD等高速NAND市場，通過應用新一代規格，Toggle DDR 2.0或將主導整個NAND Flash市場的高速發展。

業內人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭載比現有速度快一倍的USB 3.0,有望成為SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量產品上最合適的NAND Flash 方案。

據推測，智能手機、SSD、存儲卡等的生產廠商將從今年下半年開始推出各種基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量產品，受此影響高速NAND Flash的市場比重有望大幅增長。記者獲知，目前20納米級64Gb MLC NAND Flash不僅生產效率上比去年4月全球率先量產的20納米級32Gb MLC NAND Flash提高了50% 以上，而且成本競爭力也比30納米級32Gb MLC NAND Flash提高了2倍以上。 

三星電子，這次20納米級64Gb高速NAND Flash的量產，三星電子將主導高速增長中的4G超高速智能手機甚至大容量6.0Gbps SSD市場”，“今后三星還將適時推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解決方案，讓消費者能夠在更高速的移動設備上盡情體驗各種各樣的服務。

預測，截止2015年，NAND Flash內存以2010年數量為基準有望實現年均54%的增長速度，64Gb以上的產品比重也將從2010年的3%大幅提高到2012年的70%，實現飛躍增長。三星電子將在全球率先量產采用“Toggle DDR 2.0”標準的20納米級(1納米: 十億分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全線產品將采用“Toggle DDR 2.0”。