MSP430FR57xx FRAM微控制器的主要特性及優勢
• 當從FRAM中執行代碼時，可將目前業界最佳功耗水平降低50%之多——工作流耗為100μA/MHz（主動模式）和3μA（實時時鐘模式）
• 超過100萬億次的可寫入次數能支持連續數據錄入，從而無需采用昂貴的外部EEPROM及依賴電池供電的SRAM
• 統一存儲器允許開發人員利用軟件來輕松改變程序、數據以及緩存之間的內存分配，從而簡化了目錄管理并降低了系統成本
• 所有電源模式中的數據寫入及數據保存保障可確保代碼安全性，以簡化開發流程、降低存儲器測試成本及提升終端產品可靠性
• 實現了可靠的遠程軟件升級——特別是可以實現空中升級——旨在為設備制造商提供更廉價、更便捷的軟件升級途徑
• 密度高達16kB的集成型FRAM以及模擬和連接外設選項，包括10位ADC、32位硬件乘法器、多達5個16位定時器和乘法增強型SPI/I2C/UART總線
• 所有MSP平臺上的代碼兼容性以及低成本、易用型工具、綜合全面的文檔資料、用戶指南和代碼示例可方便開發人員立即啟動開發工作
• 眾多由TI提供的兼容型射頻 (RF) 工具可簡化系統開發工作
• 可實現無電池的智能型RF連接解決方案
• FR57xx MCU基于TI先進的低功耗、130nm嵌入式FRAM工藝 德州儀器(TI)宣布推出業界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 16位微控制器，從而宣告可靠數據錄入和射頻 (RF) 通信能力進入了一個新時代。新型MSP430FR57xx FRAM系列的面市進一步彰顯了 TI 在嵌入式處理技術領域的領先地位，與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，該FRAM系列可確保100倍以上的數據寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上FRAM還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區）。FR57xx系列突破了現有的存儲器功耗及可寫入次數限制，使得開發人員能夠憑借功能更多、連續工作時間更長的新產品所擁有的更高性價比的數據錄入、遠程感測和無線升級能力讓世界變得更加智能。