μPD441000L-×是低壓電源嗎？
發布時間:2011/7/11 15:06:27 訪問次數:612
μPD441000L-× 1Mbit CMOS SRAM電路的基本特性：
1) 8位131072B架構；
2) 快速存取時間為70ns、85ns、lOOns、120ns、150ns（最大值）；
3) 低壓操作電源：Vcc為2.7~5.5V（B版本）、Vcc為2.2~5.5V（C版本）和Vcc為1.8—5.5V（D版本）；
4) 工作環境溫度TA為- 25~ 85℃；
5) 低數據保存電壓，B版本為2.OV【最小值），C和D版本為1.5V（最小值）；
6) 2個使能引腳CE1、CE2。
μPD441000L-× 1Mbit CMOS SRAM電路的基本特性：
1) 8位131072B架構；
2) 快速存取時間為70ns、85ns、lOOns、120ns、150ns（最大值）；
3) 低壓操作電源：Vcc為2.7~5.5V（B版本）、Vcc為2.2~5.5V（C版本）和Vcc為1.8—5.5V（D版本）；
4) 工作環境溫度TA為- 25~ 85℃；
5) 低數據保存電壓，B版本為2.OV【最小值），C和D版本為1.5V（最小值）；
6) 2個使能引腳CE1、CE2。
相關技術資料- 7-11μPD441000L-×是低壓電源嗎？
- 相關IC型號
- PD441000L-
- 暫無最新型號
公網安備44030402000607
