單結晶體管
發布時間:2011/11/7 11:13:15 訪問次數:1586
1.單結晶體管的結構
單結晶體管又叫雙基極二極管,它有三個電極,W27C512P-45稱為發射極E,第一基極B1,第二基極B2。因為只有一個PN結,所以又稱為單結晶體管。其外形、符號和等效電路如圖6-12所示。
圖中,發射極箭頭指向B1,表示經PN結的電流只流向B1極;RB1表示E與B1之間的等效電阻,它的阻值受E與B.間電壓的控制,所以等效為可變電阻。PN結未導通時,RB1為數千歐姆,一旦PN導通,則RB1,下降到幾十歐姆。兩個基極之間的電阻用RBB表示,即RBB=RBl+RB2,RB1與RBB的比值稱為分壓比Tl=RB1/RBB,η一般為0.3~0.8。
2.工作原理及伏安特性
如圖6 - 12(c)所示,給單結晶體管的兩個基極RB1、RB2之間加上一個固定電壓UBB,當發射極E開路時,RB1上分得的電壓為
UB1=RB1/RB1+RB2·UBB=ηUBB
現給發射極E和第一基極之間加電壓UE,極性如圖6 - 12(c)所示,且UE從零逐漸增加。
當UE較小時,PN結處于反向偏置,有較小的漏電流IE。隨著UE的升高,這個電流逐漸變成一個幾十微安的正向漏電流。這一段稱為截止區。
當UE增加到UE=ηUBB+UD時,單結晶體管內的PN結導通,發射極電流IE突然增大,把這個突變點稱為峰點P。上式表明峰點電壓隨基極電壓改變而改變,實用中應注意這一點。
隨著IE的增加,UB1和UE均下降,稱為負阻區。
當IE增大到某一數值時,電壓下降到最低點,稱之為谷點V。此后IE繼續增加時,發射極電壓UE略有上升,但變化不大,稱之為飽和區。
其對應的伏安特性曲線如圖6 -13所示。
綜上所述,單結管具有以下特點:
①當發射極電壓等于峰點電壓UP時,單結管導通。導通后,當發射電壓減小到UE<UV時,管子由導通變為截止。一般單結管的谷點電壓為2~5 V。
②單結管的發射極與第一基極之間的RB1是一個阻值隨發射極電流增大而變小的電阻,RB2則是一個與發射極電流無關的電阻。
③不同的單結管有不同的UP和Uv。同一個單結管,若電源電壓UBB不同,則它的UP和Uv也有所不同。在觸發電路中常選用Uv低一些或凡大一些的單結管。
1.單結晶體管的結構
單結晶體管又叫雙基極二極管,它有三個電極,W27C512P-45稱為發射極E,第一基極B1,第二基極B2。因為只有一個PN結,所以又稱為單結晶體管。其外形、符號和等效電路如圖6-12所示。
圖中,發射極箭頭指向B1,表示經PN結的電流只流向B1極;RB1表示E與B1之間的等效電阻,它的阻值受E與B.間電壓的控制,所以等效為可變電阻。PN結未導通時,RB1為數千歐姆,一旦PN導通,則RB1,下降到幾十歐姆。兩個基極之間的電阻用RBB表示,即RBB=RBl+RB2,RB1與RBB的比值稱為分壓比Tl=RB1/RBB,η一般為0.3~0.8。
2.工作原理及伏安特性
如圖6 - 12(c)所示,給單結晶體管的兩個基極RB1、RB2之間加上一個固定電壓UBB,當發射極E開路時,RB1上分得的電壓為
UB1=RB1/RB1+RB2·UBB=ηUBB
現給發射極E和第一基極之間加電壓UE,極性如圖6 - 12(c)所示,且UE從零逐漸增加。
當UE較小時,PN結處于反向偏置,有較小的漏電流IE。隨著UE的升高,這個電流逐漸變成一個幾十微安的正向漏電流。這一段稱為截止區。
當UE增加到UE=ηUBB+UD時,單結晶體管內的PN結導通,發射極電流IE突然增大,把這個突變點稱為峰點P。上式表明峰點電壓隨基極電壓改變而改變,實用中應注意這一點。
隨著IE的增加,UB1和UE均下降,稱為負阻區。
當IE增大到某一數值時,電壓下降到最低點,稱之為谷點V。此后IE繼續增加時,發射極電壓UE略有上升,但變化不大,稱之為飽和區。
其對應的伏安特性曲線如圖6 -13所示。
綜上所述,單結管具有以下特點:
①當發射極電壓等于峰點電壓UP時,單結管導通。導通后,當發射電壓減小到UE<UV時,管子由導通變為截止。一般單結管的谷點電壓為2~5 V。
②單結管的發射極與第一基極之間的RB1是一個阻值隨發射極電流增大而變小的電阻,RB2則是一個與發射極電流無關的電阻。
③不同的單結管有不同的UP和Uv。同一個單結管,若電源電壓UBB不同,則它的UP和Uv也有所不同。在觸發電路中常選用Uv低一些或凡大一些的單結管。
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