加在二極管兩端的電壓和流過二極管的電流之間的關系稱為二極管的伏安特性，利用晶體管特性圖示儀可以很方便地測出二極管的伏安特性曲線，如圖1-9所示。AD8138ARZ   

    (1)正向特性
    正向特性曲線如圖1-9中第一象限所示。
    在起始階段(OA)，外加正向電壓很小，二極管呈現的電阻很大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為死區。使二極管開始導通的臨界電壓稱為開啟電壓，通常用U。。表示，一般硅二極管的開啟電壓約為0.5 V，鍺二極管的開啟電壓約為0.2 V。
    當正向電壓超過開啟屯壓后，電流隨電壓的上升迅速增大，二極管電阻變得很小，進入正向導通狀態。AB段曲線較陡直，電壓與電流的關系近似為線性，AB段稱為導通區。導通后二極管兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），這個電壓比較穩定，幾乎不隨流過的電流大小而變化。一般硅二極管的正向壓降約為0.7 V，鍺二極管的正向壓降約為0.3 V。
    (2)反向特性
    反向特性曲線如圖1-9第三象限所示。
    二極管加反向電壓時，在起始的一段范圍內(OC)，只有很少的少數載流子，也就是很小的反向電流，且不隨反向電壓的增加而改變，稱為反向飽和電流或反向漏電流。OC段稱反向截止區。一般硅管的反向電流為0.1肛A，鍺管為幾十微安。
    注意：反向飽和電流隨溫度的升高而急劇增加，硅管的反向飽和電流要比鍺管的反向飽和電流小。在實際應用中，反向電流越小，二極管的質量越好。
    當反向電壓增大到超過某一值時（圖1-9中C點），反向電流急劇增大，這一現象稱為反向擊穿，所對應的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示。反向擊穿有兩種類型：
    ①電擊穿：PN結未損壞，斷電即恢復。
    ②熱擊穿：PN結燒毀。
    電擊穿是可逆的，反向電壓降低后二極管仍恢復正常。因此，電擊穿往往被人們所利用

如穩壓管）。而熱擊穿則是電擊穿時沒有采取適當的限流措施，導致電流大，電壓高，使管子過熱造成永久性損壞。因此，工作時應避免二極管的熱擊穿。
   
    1)理想二極管
    理想二極管伏安特性如圖1 - lO(a)所示，符號及等效模型如圖1- 10 (b)，(c)所示。

    2)實際二極管
    實際二極管伏安特性如圖1- 11所示。二極管正向工作電壓：硅管為0. 6～0.7 V，鍺管為0.2～0.3 V。