如圖2. 57所示，在P阱和PMOS管的P十漏區之間，安排一個W19B320ATT7H接地的由P阱和P+組成的區域，這個區域被稱為收集極，又稱為少數載流子（簡稱少子）保護環。用它來提前收集那些會引起閉鎖的注入少數載流子。它可以收集由橫向PNP管發射極注入的少子——空穴，相當于橫向PNP管的收集極，故又稱偽集電極。少子不會被P阱所收集，從而有效地減小了pPNP。

    圖2. 58所示是N阱CMOS電路中的偽集電極。也是在N阱與nMOS管的N+漏區之間制作一個接電源VDD的由N阱和N1組成的區域，它可以收集由橫向NPN管發射極注入到基區（P型襯底）的電子（少子），起到集電極的作用，從而有效地減小了pNPN。