金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)
發布時間:2012/4/26 19:30:35 訪問次數:1611
MOSFET的核心是由金屬一氧化物一半導體組ATF16V8B-15PU成的MOS結構，其基本結構是由MOS結構和兩個背對背的PN結構成。在P型硅襯底上生長一厚度為tox的薄S102層，在氧化層上淀積金屬或摻雜多晶硅的導電層作為柵極，并在柵極兩側利用擴散或離子注入的方法形成兩高摻雜N+區，分別稱為源區和漏區，其擴散深度即PN結的結深為z，再在其上制作金屬導電層作為源極和漏極。源區和漏區之間的區域稱為溝道區。兩PN結結面之間的距離為MOSFET的溝道長度。MOS器件種類多樣。在P型襯底上制作N+型源、漏區的，其導電溝道為N型，即輸運電流的載流子是電子，稱為NMOS；而在N型襯底上制作P+源、漏區，以空穴導電，稱為PMOS。這是從導電載流子的極性來考慮，如從其工作方式來分，則有增強型和耗盡型兩種基本類型。增強型MOS指的是：當柵極未加偏壓時，不存在導電溝道，也就沒有漏源電流，只有當外加柵電壓大于某一特定的值（閾值電壓）時才會形成導電溝道的器件，稱為常閉型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：當MOSFET制成后就已形成導電溝道，只要有漏源電壓，不加柵電壓也會有漏源電流，即稱為常閉型MOS(EMOS)。理論上，NMOS和PMOS器件均有增強型和耗盡型之分。這就構成了4種基本類型的MOSFET。由于它比JFET的溫度穩定性好集成化時工藝簡單，而廣泛用于大規模和超大規模的集成電路之中。
MOSFET的核心是由金屬一氧化物一半導體組ATF16V8B-15PU成的MOS結構，其基本結構是由MOS結構和兩個背對背的PN結構成。在P型硅襯底上生長一厚度為tox的薄S102層，在氧化層上淀積金屬或摻雜多晶硅的導電層作為柵極，并在柵極兩側利用擴散或離子注入的方法形成兩高摻雜N+區，分別稱為源區和漏區，其擴散深度即PN結的結深為z，再在其上制作金屬導電層作為源極和漏極。源區和漏區之間的區域稱為溝道區。兩PN結結面之間的距離為MOSFET的溝道長度。MOS器件種類多樣。在P型襯底上制作N+型源、漏區的，其導電溝道為N型，即輸運電流的載流子是電子，稱為NMOS；而在N型襯底上制作P+源、漏區，以空穴導電，稱為PMOS。這是從導電載流子的極性來考慮，如從其工作方式來分，則有增強型和耗盡型兩種基本類型。增強型MOS指的是：當柵極未加偏壓時，不存在導電溝道，也就沒有漏源電流，只有當外加柵電壓大于某一特定的值（閾值電壓）時才會形成導電溝道的器件，稱為常閉型MOS( EMOS)；相反，耗犀型MOS指的是：當MOSFET制成后就已形成導電溝道，只要有漏源電壓，不加柵電壓也會有漏源電流，即稱為常閉型MOS(EMOS)。理論上，NMOS和PMOS器件均有增強型和耗盡型之分。這就構成了4種基本類型的MOSFET。由于它比JFET的溫度穩定性好集成化時工藝簡單，而廣泛用于大規模和超大規模的集成電路之中。
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