針對主要失效模式開展可靠性設計
發布時間:2012/4/26 20:06:57 訪問次數:896
可靠性設計的重點是消除和LM386-1控制產品的失效模式或機理，因此，在進行新品設計時應收集同類產品的失效信息和影響產品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效機理，才能針對性地采取設計措施。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質原子等。產生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現過飽和現象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數比Ⅲ、V族雜質的擴散系數高los—l06倍。當位錯線通過P-N結時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發生高能電子、空穴對的復合、發射可見光（淺結：白光，深結：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質原子等。產生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現過飽和現象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數比Ⅲ、V族雜質的擴散系數高los—l06倍。當位錯線通過P-N結時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發生高能電子、空穴對的復合、發射可見光（淺結：白光，深結：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
可靠性設計的重點是消除和LM386-1控制產品的失效模式或機理，因此，在進行新品設計時應收集同類產品的失效信息和影響產品可靠性的因素，并分析主要的失效模式和失效機理，才能針對性地采取設計措施。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質原子等。產生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現過飽和現象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數比Ⅲ、V族雜質的擴散系數高los—l06倍。當位錯線通過P-N結時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發生高能電子、空穴對的復合、發射可見光（淺結：白光，深結：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
晶格缺陷類型、對可靠性的影響分析和消除措施
(1)晶格缺陷類型和對可靠性的影響分析
晶格缺陷類型主要有：點缺陷、位錯、層錯、旋渦缺陷、外延層中的微缺陷、二次缺陷等。
1)點缺陷
點缺陷有如點陣空位、間隙原子、雜質原子等。產生原因主要是：
①單晶生長的冷卻過程中，溫度急劇變化，致使點缺陷呈現過飽和現象。
②單晶、外延摻雜不均勻、擴散摻奈不均勻。
點缺陷對產品可靠性的影響主要是：
①器件擊穿電壓不均勻，部分器件被擊穿。
②fT下降，fT的峰值電流變小。
2)位錯
位錯主要包括單晶生長引入位錯，即原生位錯和器件工藝誘生位錯兩種。對產品可靠性的影響主要是：
①重金屬雜質在位錯上的沉積，其沿位錯線擴散系數比Ⅲ、V族雜質的擴散系數高los—l06倍。當位錯線通過P-N結時，會造成低擊穿或多段擊穿。每次局部雪崩擊穿都發生高能電子、空穴對的復合、發射可見光（淺結：白光，深結：紅光）。
②在位錯線上增強擴散可造成E-C穿通。
3)層錯
層錯主要包括外延襯底機械損傷和清洗殘留物造成外延層錯(△)，對產品可靠性的影響主要為增強擴散、低軟擊穿，E-C穿通增大等方面。
4)旋渦缺陷
直拉或懸浮區熔法生長的單晶其微缺陷中有旋渦花紋，這種高溫生長的熱缺陷主要是空位，其濃度ns在1.2×l013～9×l015 CIIl-，它會使遷移率下降，MOS-FET的gm下降。
5)外延層中的微缺陷
霧狀點缺陷，密度l06～l07 cm-2（稱霧片），用霧片制作三極管其成品率只有“亮片”的1/3。
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上一篇：二次缺陷
相關技術資料- 4-26針對主要失效模式開展可靠性設計
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