鈍化層質量對器件可靠性的影響
發布時間:2012/4/27 19:51:01 訪問次數:2061
半導體分立器件的表面鈍化MJE15035G層主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亞胺等，其作用主要是防止管殼中的濕氣對器件特性的影響，防止操作過程中表面擦傷及管殼空腔的微粒影響。S13 N4鈍化的器件可防止堿離子穿入下面的Si0：層，提高器件穩定性；Alz 03可有效阻擋堿離子進入下層Si0。，硅酮塑料具有比環氧樹脂或石炭酸基封裝化合更高的儲存溫度，主要用于功率器件的封裝和梁式引線器件。在鈍化層中存在裂縫時，經常在沿著外形的階梯處或沿著定輪廓金屬體的邊緣產生針孔。合金金屬上介質層的針孔有兩種，即在Al線中心區域的針孑L和沿著定輪廓金屬線邊緣的針孔。邊緣的針孔歸因于金屬邊緣靠近光刻抗蝕劑的距離不適當，可通過采用較厚的光刻抗蝕劑層或改進光刻抗蝕劑的涂敷技術來消除。Al線中心區的針孑L歸因于Al接觸合金工序中Al再結晶形成的小丘，在隨后的淀積鈍化層工序中，小丘完全被介質層覆蓋，但不能被光刻抗蝕劑完全覆蓋，使小丘突出在膠膜之上，形成針孔。鈍化層質量對器件可靠性的影響如下：
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環境下，可加速離子的遷移效應，導致金屬化產生電化學腐蝕。
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環境下，可加速離子的遷移效應，導致金屬化產生電化學腐蝕。
半導體分立器件的表面鈍化MJE15035G層主要有Si0：、PSG、Si。N。、聚酰亞胺等，其作用主要是防止管殼中的濕氣對器件特性的影響，防止操作過程中表面擦傷及管殼空腔的微粒影響。S13 N4鈍化的器件可防止堿離子穿入下面的Si0：層，提高器件穩定性；Alz 03可有效阻擋堿離子進入下層Si0。，硅酮塑料具有比環氧樹脂或石炭酸基封裝化合更高的儲存溫度，主要用于功率器件的封裝和梁式引線器件。在鈍化層中存在裂縫時，經常在沿著外形的階梯處或沿著定輪廓金屬體的邊緣產生針孔。合金金屬上介質層的針孔有兩種，即在Al線中心區域的針孑L和沿著定輪廓金屬線邊緣的針孔。邊緣的針孔歸因于金屬邊緣靠近光刻抗蝕劑的距離不適當，可通過采用較厚的光刻抗蝕劑層或改進光刻抗蝕劑的涂敷技術來消除。Al線中心區的針孑L歸因于Al接觸合金工序中Al再結晶形成的小丘，在隨后的淀積鈍化層工序中，小丘完全被介質層覆蓋，但不能被光刻抗蝕劑完全覆蓋，使小丘突出在膠膜之上，形成針孔。鈍化層質量對器件可靠性的影響如下：
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環境下，可加速離子的遷移效應，導致金屬化產生電化學腐蝕。
①在器件加電工作過程中，鈍化層的裂縫或針孑L會導致Al條被濕氣腐蝕，直至開路失效，也會導致芯片受離子沾污。
②含磷濃度過高的PSG層具有吸水性，會引起Al條的腐蝕；含磷濃度過低的玻璃層會沿著Al線的邊緣處形成裂縫，導致局部金屬腐蝕。采用Ti-Pt-Au代替AI金屬化，并用Au絲代Al絲鍵合，在抗電化學腐蝕方面具有明顯優勢。
③在塑料封裝工藝中，塑料是離予或雜質的來源之一，對可靠性有害，特別在潮濕環境下，可加速離子的遷移效應，導致金屬化產生電化學腐蝕。
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