晶體材料控制要求
發布時間:2012/5/7 19:33:36 訪問次數:762
(1)內應力控制
晶體制備過程中會產生晶體內部10037912-104LF的晶格應變，與之相對應的應力稱為內應力。內應力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶體的生長速度、在晶體承受高溫處理后采取適當的降溫速率、在晶體經機械加工時減小機械應力等都可以有效地控制晶體的內應力。通常用X光衍射法測量晶體常數的奇變來檢測單晶的內應力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長，滑移和聚集會產生晶體的裂痕。缺陷會使晶體的力學性質、電學性質劣化，從而導致聲表面波器件的失效，還會引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機械加工應力之外，適當條件的退火，或采用缺陷吸除技術也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來表征。平整度和翹曲率差的晶片會使聲表面波器件的結構發生畸變，使聲表面波器件的結構達不到設計要求，從而產生超容差現象，影響可靠性。當這種晶片需要與封裝外殼黏接時常常發生接觸不良或產生應力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測量儀測量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復合膜來控制工藝過程中的翹曲率劣化。
晶體制備過程中會產生晶體內部10037912-104LF的晶格應變，與之相對應的應力稱為內應力。內應力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶體的生長速度、在晶體承受高溫處理后采取適當的降溫速率、在晶體經機械加工時減小機械應力等都可以有效地控制晶體的內應力。通常用X光衍射法測量晶體常數的奇變來檢測單晶的內應力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長，滑移和聚集會產生晶體的裂痕。缺陷會使晶體的力學性質、電學性質劣化，從而導致聲表面波器件的失效，還會引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機械加工應力之外，適當條件的退火，或采用缺陷吸除技術也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來表征。平整度和翹曲率差的晶片會使聲表面波器件的結構發生畸變，使聲表面波器件的結構達不到設計要求，從而產生超容差現象，影響可靠性。當這種晶片需要與封裝外殼黏接時常常發生接觸不良或產生應力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測量儀測量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復合膜來控制工藝過程中的翹曲率劣化。
(1)內應力控制
晶體制備過程中會產生晶體內部10037912-104LF的晶格應變，與之相對應的應力稱為內應力。內應力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶體的生長速度、在晶體承受高溫處理后采取適當的降溫速率、在晶體經機械加工時減小機械應力等都可以有效地控制晶體的內應力。通常用X光衍射法測量晶體常數的奇變來檢測單晶的內應力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長，滑移和聚集會產生晶體的裂痕。缺陷會使晶體的力學性質、電學性質劣化，從而導致聲表面波器件的失效，還會引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機械加工應力之外，適當條件的退火，或采用缺陷吸除技術也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來表征。平整度和翹曲率差的晶片會使聲表面波器件的結構發生畸變，使聲表面波器件的結構達不到設計要求，從而產生超容差現象，影響可靠性。當這種晶片需要與封裝外殼黏接時常常發生接觸不良或產生應力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測量儀測量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復合膜來控制工藝過程中的翹曲率劣化。
晶體制備過程中會產生晶體內部10037912-104LF的晶格應變，與之相對應的應力稱為內應力。內應力可以誘生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶體的生長速度、在晶體承受高溫處理后采取適當的降溫速率、在晶體經機械加工時減小機械應力等都可以有效地控制晶體的內應力。通常用X光衍射法測量晶體常數的奇變來檢測單晶的內應力。
(2)晶體缺陷控制
單晶體中原子沒右按固有周期排列的局部稱晶體缺陷。缺陷的增長，滑移和聚集會產生晶體的裂痕。缺陷會使晶體的力學性質、電學性質劣化，從而導致聲表面波器件的失效，還會引起聲表面波器件的性能退化失效或致命的燒毀失效等失效模式，除了控制單晶的完美性、晶體生長速度、晶體降溫速率、極化定向精度，減少機械加工應力之外，適當條件的退火，或采用缺陷吸除技術也可以有效地控制晶體缺陷。
(3)平整度與翹曲率控制
晶片的厚度均勻性用平整度表征，晶片偏離同一水平面的程度用翹曲率來表征。平整度和翹曲率差的晶片會使聲表面波器件的結構發生畸變，使聲表面波器件的結構達不到設計要求，從而產生超容差現象，影響可靠性。當這種晶片需要與封裝外殼黏接時常常發生接觸不良或產生應力造成失效隱患。
平整度通常用光干涉法測量，翹曲率用電容敏感式翹曲率測量儀測量。平整度和翹曲率是在晶片的切割、磨平和拋光過程中進行控制的。晶片在高溫工藝中，在覆蓋各種膜的過程中會使其翹曲率劣化，通常用低溫工藝和用不同厚度比的復合膜來控制工藝過程中的翹曲率劣化。
相關技術資料- 5-7晶體材料控制要求
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