晶體管集電極損耗的計算
發布時間:2012/5/10 20:02:01 訪問次數:2407
下面,為了計算無信號(沒有輸入信號)時晶HCMS-2965體管的集電極損耗P。,求出集電極一發射極間電壓VCE。
如果將發射極的直流電位VE設置在電源電壓與GND的中點,就能夠取出最大的輸出振幅(只要能取出最大輸出電壓,就沒有必要這樣設置)。
為了簡單設計該偏置電路,基極偏置電壓VB希望取7.5V(電源電壓與GND的中點),故將發射極電位設定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。為此,晶體管的集電極一發射間電壓VCE為8.1V( =15 -6.9)。
因此,無信號時的晶體管集電極損耗為:
如在第2章所示,2SC2458的P。最大額定值為200mW,遠遠在額定值以下。
然而,如圖3.4所示,集電極損耗隨環境溫度會有很大變化。能夠在多少度的環境溫度下使用呢?要回答這個問題,必須預先對所設計電路的P。加以確定。
與所設計電路的容許損耗P。是否超過最大額定值相比,容許損耗與壞境溫度曲線在圖中所處的位置更為重要。
由圖3.4可知,該電路直到環境溫度85℃都能正常工作。容許集電極損耗與環境溫度曲線圖記載在晶體管的數據表中。但要注意,在功率晶體管中,經常是以安裝散熱器為前提的。
射極跟隨器大多用在電路的輸出級。因為需要經常處理大電流,所以必須注意晶體管和電阻的發熱問題。
下面,為了計算無信號(沒有輸入信號)時晶HCMS-2965體管的集電極損耗P。,求出集電極一發射極間電壓VCE。
如果將發射極的直流電位VE設置在電源電壓與GND的中點,就能夠取出最大的輸出振幅(只要能取出最大輸出電壓,就沒有必要這樣設置)。
為了簡單設計該偏置電路,基極偏置電壓VB希望取7.5V(電源電壓與GND的中點),故將發射極電位設定在比它低0.6V(=VBE)的6.9V上。為此,晶體管的集電極一發射間電壓VCE為8.1V( =15 -6.9)。
因此,無信號時的晶體管集電極損耗為:
如在第2章所示,2SC2458的P。最大額定值為200mW,遠遠在額定值以下。
然而,如圖3.4所示,集電極損耗隨環境溫度會有很大變化。能夠在多少度的環境溫度下使用呢?要回答這個問題,必須預先對所設計電路的P。加以確定。
與所設計電路的容許損耗P。是否超過最大額定值相比,容許損耗與壞境溫度曲線在圖中所處的位置更為重要。
由圖3.4可知,該電路直到環境溫度85℃都能正常工作。容許集電極損耗與環境溫度曲線圖記載在晶體管的數據表中。但要注意,在功率晶體管中,經常是以安裝散熱器為前提的。
射極跟隨器大多用在電路的輸出級。因為需要經常處理大電流,所以必須注意晶體管和電阻的發熱問題。