在提高hFE的方法中，有一種被稱為FM24C64B-GTR達林頓連接的方法。如圖5.2所示，將第1級的晶體管電流輸出端（即發射極）連接到第2級的電流輸入端（即基極），由此hFE變成各自晶體管hFE的乘積(hFEl．hFE2)。
    但是，達林頓連接電路的晶體管處于ON時，基極一發射極間電壓降為1.2～1.4V(兩個VBE)。因此，在如圖5.3所示的推挽達林頓射極跟隨器(PushPule Dar-lington Emitter follower)中，使用電特性幾乎相同的NPN和PNP型晶體管。正電壓時是與NPN型晶體管相互補進行工作的達林頓連接的射極跟隨器的偏置電壓，為NPN晶體管的兩個VBE，即1.2V，負屯壓時是與PNP型晶體管相互補進行工作的達林頓連接的射極跟隨器的偏置電壓，為PNP晶體管的兩個VBE，即為1.2V，必須制作總共四個V BE一2.4V的偏置電壓。