并聯連接的關鍵是熱耦合
發布時間:2012/5/12 19:53:11 訪問次數:930
電流集中在一方晶體管上的原因,主要FM24CL16B-GTR是由于熱引起的。所以,必須重視射極跟隨器各晶體管之間以及它們的偏置晶體管的熱耦合(在后詳述)。
另外,這樣并聯連接的電路,輸出阻抗也下降,所以更接近于理想的放大器。
這樣做的缺點是,各個晶體管的輸入電容因為并聯連接導致高頻特性變壞,但這是個離聲頻頻帶遙遠的數十兆赫茲頻率的話題,所以不必介意使用并聯連接方法。
空載電流與失真率的關系
如圖5.6所示是利用制作的10W功率放大器改變空載電流的大小,得到A類、B類和AB類放大時的輸出大小與失真率的數據。在放大器最大輸出時,負載上流動的最大輸出電流的1/2為空載電流。即使在無信號時,也在晶休管上不斷地流動著。這就是所謂A類放大。這是NPN和PNP型兩晶體管任何時候都處于工作狀態、沒有開關失真的低失真率的偏置方法。
所謂B類放大,是指在沒有空載電流流動、且無信號時晶體管在截止狀態使用的狀況。這是推挽工作——即NPN型晶體管擔當正電壓,PNP型晶體管擔當負電壓,它們一起進行正負電壓的輸出工作。在正波與負波進行轉換時,兩個晶體管都截止。因此,兩個晶體管間的連接不是很好,開關失真大,所產生的失真也變大。
所謂AB類放大,是空載電流僅在最大輸出電流的112以下流動的偏置方法。由于空載電流流過晶體管,所以開關失真要比B類放大得到相當大的,改善。
圖5.6是分別僅讓lOmA的空載電流在并聯連接的晶體管上流動的狀況,然而,失真率卻變得更好。因下面即將說明與發熱有關,空載電流過大也沒有什么意義。
電流集中在一方晶體管上的原因,主要FM24CL16B-GTR是由于熱引起的。所以,必須重視射極跟隨器各晶體管之間以及它們的偏置晶體管的熱耦合(在后詳述)。
另外,這樣并聯連接的電路,輸出阻抗也下降,所以更接近于理想的放大器。
這樣做的缺點是,各個晶體管的輸入電容因為并聯連接導致高頻特性變壞,但這是個離聲頻頻帶遙遠的數十兆赫茲頻率的話題,所以不必介意使用并聯連接方法。
空載電流與失真率的關系
如圖5.6所示是利用制作的10W功率放大器改變空載電流的大小,得到A類、B類和AB類放大時的輸出大小與失真率的數據。在放大器最大輸出時,負載上流動的最大輸出電流的1/2為空載電流。即使在無信號時,也在晶休管上不斷地流動著。這就是所謂A類放大。這是NPN和PNP型兩晶體管任何時候都處于工作狀態、沒有開關失真的低失真率的偏置方法。
所謂B類放大,是指在沒有空載電流流動、且無信號時晶體管在截止狀態使用的狀況。這是推挽工作——即NPN型晶體管擔當正電壓,PNP型晶體管擔當負電壓,它們一起進行正負電壓的輸出工作。在正波與負波進行轉換時,兩個晶體管都截止。因此,兩個晶體管間的連接不是很好,開關失真大,所產生的失真也變大。
所謂AB類放大,是空載電流僅在最大輸出電流的112以下流動的偏置方法。由于空載電流流過晶體管,所以開關失真要比B類放大得到相當大的,改善。
圖5.6是分別僅讓lOmA的空載電流在并聯連接的晶體管上流動的狀況,然而,失真率卻變得更好。因下面即將說明與發熱有關,空載電流過大也沒有什么意義。
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