雙極晶體管是以流過的基MSP430F149IRTDT極電流IB控制集電極電流IC，所以IB與IC之比一直流電流放大系數hFE就成為器件的重要特性。
    對于FET，如圖2.10所示，是通過改變柵極一源極間電壓VGS控制漏極電流ID的，所以VGS與JD之比就成為器件的重要特性。把這個比值稱為跨導gM（也叫做正向傳輸導納YFS），用下式表示：

                    
   
    式中，AVcs為VGS的變化量，AID為，D的變化量。
    輸特性中曲線的斜率相當于gm，它的單位是電流與電壓之比，即S（西[門子]）。
    gm意味著當輸入電壓(VGS)變化時輸出電流(ID)會有多大的變化，可以認為是器件本身電流對電壓的增益。在使用FET的放大電路中，gm愈大則電路的增益愈大，具有能夠減小輸出阻抗的優點。
    但是，gm大的FET存在著輸入電容大因而高頻特性差，流過柵極的漏電流大（輸入阻抗低）等缺點。