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選擇源極跟隨器用的FET

發布時間:2012/5/23 19:58:17 訪問次數:756

    先討論輸出級使用的MOSFET的選擇條件。
    整流電路的輸出就是源極跟隨器部分LM3S2965-IQC50-A2的電源電壓,即±19.5VPEAK。當輸出電壓達到正負峰值時,Trz、Tr3的漏極一源極間所加的電壓是正電源與負電源之間的電壓。這就是說Tr2、Tr3的漏極一源極間所加的電壓有可能達到39V。
    由于給8Q負載(揚聲器)輸出10W時電路的輸出電流是1.4A。eak,所以Tr2、Tr3的漏極電流最大可能達到1.4A。
    再考慮器件的功率損耗。為了減小輸出級源極跟隨器的功率損耗,設定電路工作在B類狀態。
    一般來說,B類工作狀態的推挽射極跟隨器中單管功率損耗PD的最大值是電路最大輸出功率的1/5(詳見參考文獻[7])。由于最大輸出功率是10W,所以PD=2W。
    因此,對于輸出級MOSFET的Tr2 Tr3必須使用絕對最大額定值漏極一源極間電壓V DS在39V以上,漏極電流在1.6A以上,功率損耗PD在2W以上的器件。這里就手頭所有,選用低頻功率放大用互補對2SJ200,2SK1529。表5.1、表5.2分別列出它們的特性。

               

    先討論輸出級使用的MOSFET的選擇條件。
    整流電路的輸出就是源極跟隨器部分LM3S2965-IQC50-A2的電源電壓,即±19.5VPEAK。當輸出電壓達到正負峰值時,Trz、Tr3的漏極一源極間所加的電壓是正電源與負電源之間的電壓。這就是說Tr2、Tr3的漏極一源極間所加的電壓有可能達到39V。
    由于給8Q負載(揚聲器)輸出10W時電路的輸出電流是1.4A。eak,所以Tr2、Tr3的漏極電流最大可能達到1.4A。
    再考慮器件的功率損耗。為了減小輸出級源極跟隨器的功率損耗,設定電路工作在B類狀態。
    一般來說,B類工作狀態的推挽射極跟隨器中單管功率損耗PD的最大值是電路最大輸出功率的1/5(詳見參考文獻[7])。由于最大輸出功率是10W,所以PD=2W。
    因此,對于輸出級MOSFET的Tr2 Tr3必須使用絕對最大額定值漏極一源極間電壓V DS在39V以上,漏極電流在1.6A以上,功率損耗PD在2W以上的器件。這里就手頭所有,選用低頻功率放大用互補對2SJ200,2SK1529。表5.1、表5.2分別列出它們的特性。

               

相關技術資料
5-23選擇源極跟隨器用的FET
相關IC型號
LM3S2965-IQC50-A2
暫無最新型號

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