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給MOSFET輸入正弦波

發布時間:2012/5/28 19:21:24 訪問次數:900

    圖9.5是采用功率開關 LPC2136FBD64用器件-N溝MOSFET 2SK612(NEC)的源極接地型開關電路。這個電路只是改換了圖9.1中的FET(漏極負載電阻的值不同)。照片9.5是給這個電路輸入lkHz、8Vp-p正弦波時的輸入輸出波形。可以看出當輸入信號的電平超過+1. 6V時輸出波形為OV。這是因為當FET的柵極電位超過+1.6V時輸入信號被反相放大的緣故(認為臨界電壓為+1.6V)。
    圖9.6是2SK612的傳輸特性。這種MOSFET是增強型器件,所以從曲線圖可以看出當柵極電位相對于源極為OV時器件截止,達到+3V以上時完全導通(根據圖9.6,柵極一源極間電壓VGS =+3V時,ID能夠超過2A)。在圖9.5的電路中,由于漏極電流的設定值小(ID一5mA),所以如照片9.5所示,柵極電壓在+1.6V時導通。
    與JFET不同,對于MOSFET來說柵極與溝道間只有絕緣層,并不存在二極管(參見圖9.7),所以即使輸入信號變為負值時波形也不會被削掉。

           

    圖9.5是采用功率開關 LPC2136FBD64用器件-N溝MOSFET 2SK612(NEC)的源極接地型開關電路。這個電路只是改換了圖9.1中的FET(漏極負載電阻的值不同)。照片9.5是給這個電路輸入lkHz、8Vp-p正弦波時的輸入輸出波形。可以看出當輸入信號的電平超過+1. 6V時輸出波形為OV。這是因為當FET的柵極電位超過+1.6V時輸入信號被反相放大的緣故(認為臨界電壓為+1.6V)。
    圖9.6是2SK612的傳輸特性。這種MOSFET是增強型器件,所以從曲線圖可以看出當柵極電位相對于源極為OV時器件截止,達到+3V以上時完全導通(根據圖9.6,柵極一源極間電壓VGS =+3V時,ID能夠超過2A)。在圖9.5的電路中,由于漏極電流的設定值小(ID一5mA),所以如照片9.5所示,柵極電壓在+1.6V時導通。
    與JFET不同,對于MOSFET來說柵極與溝道間只有絕緣層,并不存在二極管(參見圖9.7),所以即使輸入信號變為負值時波形也不會被削掉。

           

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5-28給MOSFET輸入正弦波

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