MOSFET與晶體管74HC32PW相比，開關速度快，驅動功率小（柵極不流過電流），所以經常用作開關電源的開關器件。但是一般來說現在的MOSFET的VGS比VBE大，所以需要的驅動電壓比品體管高。
    本章設計的電路由于輸入電壓是3V，所以能夠驅動MOSFET。從圖11. 14可以看出當輸入電壓降低到2V時就不能夠驅動MOSFET了。
    因此，在用低輸入電壓使升壓型開關電源工作的場合，需要采用晶體管開關器件。使用晶體管時，如果振蕩電路的輸出比VBE大，就能夠開關，所以理論上只要輸入電壓大于0.6V(一VBE)就能夠工作。
    圖11.17是把圖11.6電路中的MOSFET換為晶體管的電路。把Tri換為晶體管，并插入限制基極電流的電阻RB。這樣的電路即使只有1節錳電池的輸入電壓(≈l.5V)也能夠充分工作（使74HC14在1.5V下工作是違規的）。但是由于必須流過較大的基極電流，所以電路的效率降低了。
    選擇晶體管的方法與使用MOSFET的情況相同。在這個電路中，選擇IC≥420mA，VCE≥20V的器件。圖11.17中使用最大額定值CEO一50V，lc=2A的2SC3668(東芝)。
    設定基極電阻RB的值要使基極電流能夠充分驅動集電極電流。圖11.17的電路中，設定基極電流為2.7mA，所以RB=330\0,(≈(1.5V-O.6V)／2.7mA)。