半導體中電子的舉動
發布時間:2012/7/19 18:19:47 訪問次數:921
圖3.29為受光照后http://wangyuankeji.51dzw.com/其電阻大幅度減小的硫化鎘(CdS)元件,圖3.30為應用了此原理的點曝光儀。另外,圖3.31顯示的是溫度上升則電阻減小的熱敏電阻,它被應用在溫度計等儀器中。這些元器件均利用了CdS和熱敏電阻受光或熱能作用后半導體內的載流子——自由電子及空穴的分布和運動會發生變化這一性質。
如前所述,半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產生重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此,首先必須將其提煉成連續11個9,即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體(本征半導體)。然后摻入微量的雜質,以獲取易于利用的載流子。
本征半導體中存在著相同數量的自由電子與空穴,當外加光、熱、電場等能量時,這些載流子的數量會增加,如圖3.32所示。
圖3.29為受光照后http://wangyuankeji.51dzw.com/其電阻大幅度減小的硫化鎘(CdS)元件,圖3.30為應用了此原理的點曝光儀。另外,圖3.31顯示的是溫度上升則電阻減小的熱敏電阻,它被應用在溫度計等儀器中。這些元器件均利用了CdS和熱敏電阻受光或熱能作用后半導體內的載流子——自由電子及空穴的分布和運動會發生變化這一性質。
如前所述,半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產生重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此,首先必須將其提煉成連續11個9,即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體(本征半導體)。然后摻入微量的雜質,以獲取易于利用的載流子。
本征半導體中存在著相同數量的自由電子與空穴,當外加光、熱、電場等能量時,這些載流子的數量會增加,如圖3.32所示。