半導體器件測量時的注意事項
發布時間:2012/7/25 21:03:22 訪問次數:717
由晶體二極管、晶體三極管、FET(場效應晶體管)、晶閘1N4004管等半導體元器件的規格表中可以了解它們的特性。規格表中,一般給出半導體元器件的最大定額及其電氣特性。所謂最大定額是指不至引起半導體元器件性能老化或損壞并維持正常工作的參數的最大限僮。表5.5為晶體三極管2SC2320的最大定額表。使用時,要注意其電壓、電流、耗散功率和溫度等參數值不應超過最大定額值。集電極最大耗散功率Pc為VCE與Ic的乘積,圖5.26中的VCE-IC特性上,用虛線描出了300mW的集電極耗散功率特性。晶體三極管的使用范圍必須在虛線的左側。另外,晶體三極管是有極性的半導體元件,必須區別NPN型和PNP型的不同,正確連接B(基極)、E(發射極)和C(集電極)各端子。
由晶體二極管、晶體三極管、FET(場效應晶體管)、晶閘1N4004管等半導體元器件的規格表中可以了解它們的特性。規格表中,一般給出半導體元器件的最大定額及其電氣特性。所謂最大定額是指不至引起半導體元器件性能老化或損壞并維持正常工作的參數的最大限僮。表5.5為晶體三極管2SC2320的最大定額表。使用時,要注意其電壓、電流、耗散功率和溫度等參數值不應超過最大定額值。集電極最大耗散功率Pc為VCE與Ic的乘積,圖5.26中的VCE-IC特性上,用虛線描出了300mW的集電極耗散功率特性。晶體三極管的使用范圍必須在虛線的左側。另外,晶體三極管是有極性的半導體元件,必須區別NPN型和PNP型的不同,正確連接B(基極)、E(發射極)和C(集電極)各端子。
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