電壓基準
發布時間:2013/7/8 20:11:45 訪問次數:1039
二極管的反向擊穿電壓取決于二極管1N4004的物理構造。而二極管結的正向壓降，可由Ebers-Moll方程式（一種晶體管等效模型方程式——譯注）計得，此公式包含了絕對溫度和電流兩項因素。這乜意味著，我們除了可將二極管用于整流之外，還可以用作電壓基準( voltage reference)。
電壓基準的一個重要參數是斜率電阻( slope resistance)（譯注：相當于內阻）。電壓基準正常工作時，斜率電阻等于等效電路的戴維南電阻。不能因此推論，應該為二極管選用很大的工作電流。而只是要求在設置于線性工作區內的同時，應設法令其電流變動較小，以便獲得較小的壓降變化。
基于二極管正向壓降的電壓基準稱為帶隙( band-gap)器件，而基于反向擊穿電壓的則稱為齊納( Zener)二極管。
為避免損壞，所有的電壓基準應該對流過的電流加以限制，采用恒流源方式則較為理想。
通常供應的齊納二極管，額定功率可上至75W，最常見的規格為400rnW。額定電壓為2.7～270V。二極管結被反向偏置后，比正向偏置時產生更多的噪聲，因此，齊納管的噪聲比帶隙器件大。實際上，真正的齊納管工作電壓小于等于SV，如果“齊納”管的額定電壓大于等于5V，則表明它利用了雪崩效應(avalancheeffect)。6.2V的齊納管恰好利用了齊納效應與雪崩效應的相互抵消，溫度系數幾乎為零，而斜率電阻也得以降低。當齊納管的額定電壓高于6V時，斜率電阻逐漸上升。當齊納管的額定電壓低于6V，斜率電阻急劇上升。而工作于SmA時，6.2V齊納二極管的斜率電阻典型值約為10Q。
帶隙基準通常是以復雜的集成電路形式出現，常見的輸出電壓為1.2V，但通過內部的放大器，可將輸出電壓提升到10V或更高。因為內部電路復雜，帶隙基準器件的售價往往比齊納管高。有時候，我們可能需要用到成本低的低噪聲基準。發光二極管（Light Emitting Diode，簡寫為LED）以及以正向偏置方式工作的小信號二極管，因為噪聲相對較小、價錢也較低，可供我們選用。
帶隙基準內部常配有放大器，因此其輸出電阻降低了很多，典型值約為0.2Q或更小。
電壓基準的一個重要參數是斜率電阻( slope resistance)（譯注：相當于內阻）。電壓基準正常工作時，斜率電阻等于等效電路的戴維南電阻。不能因此推論，應該為二極管選用很大的工作電流。而只是要求在設置于線性工作區內的同時，應設法令其電流變動較小，以便獲得較小的壓降變化。
基于二極管正向壓降的電壓基準稱為帶隙( band-gap)器件，而基于反向擊穿電壓的則稱為齊納( Zener)二極管。
為避免損壞，所有的電壓基準應該對流過的電流加以限制，采用恒流源方式則較為理想。
通常供應的齊納二極管，額定功率可上至75W，最常見的規格為400rnW。額定電壓為2.7～270V。二極管結被反向偏置后，比正向偏置時產生更多的噪聲，因此，齊納管的噪聲比帶隙器件大。實際上，真正的齊納管工作電壓小于等于SV，如果“齊納”管的額定電壓大于等于5V，則表明它利用了雪崩效應(avalancheeffect)。6.2V的齊納管恰好利用了齊納效應與雪崩效應的相互抵消，溫度系數幾乎為零，而斜率電阻也得以降低。當齊納管的額定電壓高于6V時，斜率電阻逐漸上升。當齊納管的額定電壓低于6V，斜率電阻急劇上升。而工作于SmA時，6.2V齊納二極管的斜率電阻典型值約為10Q。
帶隙基準通常是以復雜的集成電路形式出現，常見的輸出電壓為1.2V，但通過內部的放大器，可將輸出電壓提升到10V或更高。因為內部電路復雜，帶隙基準器件的售價往往比齊納管高。有時候，我們可能需要用到成本低的低噪聲基準。發光二極管（Light Emitting Diode，簡寫為LED）以及以正向偏置方式工作的小信號二極管，因為噪聲相對較小、價錢也較低，可供我們選用。
帶隙基準內部常配有放大器，因此其輸出電阻降低了很多，典型值約為0.2Q或更小。
二極管的反向擊穿電壓取決于二極管1N4004的物理構造。而二極管結的正向壓降，可由Ebers-Moll方程式（一種晶體管等效模型方程式——譯注）計得，此公式包含了絕對溫度和電流兩項因素。這乜意味著，我們除了可將二極管用于整流之外，還可以用作電壓基準( voltage reference)。
電壓基準的一個重要參數是斜率電阻( slope resistance)（譯注：相當于內阻）。電壓基準正常工作時，斜率電阻等于等效電路的戴維南電阻。不能因此推論，應該為二極管選用很大的工作電流。而只是要求在設置于線性工作區內的同時，應設法令其電流變動較小，以便獲得較小的壓降變化。
基于二極管正向壓降的電壓基準稱為帶隙( band-gap)器件，而基于反向擊穿電壓的則稱為齊納( Zener)二極管。
為避免損壞，所有的電壓基準應該對流過的電流加以限制，采用恒流源方式則較為理想。
通常供應的齊納二極管，額定功率可上至75W，最常見的規格為400rnW。額定電壓為2.7～270V。二極管結被反向偏置后，比正向偏置時產生更多的噪聲，因此，齊納管的噪聲比帶隙器件大。實際上，真正的齊納管工作電壓小于等于SV，如果“齊納”管的額定電壓大于等于5V，則表明它利用了雪崩效應(avalancheeffect)。6.2V的齊納管恰好利用了齊納效應與雪崩效應的相互抵消，溫度系數幾乎為零，而斜率電阻也得以降低。當齊納管的額定電壓高于6V時，斜率電阻逐漸上升。當齊納管的額定電壓低于6V，斜率電阻急劇上升。而工作于SmA時，6.2V齊納二極管的斜率電阻典型值約為10Q。
帶隙基準通常是以復雜的集成電路形式出現，常見的輸出電壓為1.2V，但通過內部的放大器，可將輸出電壓提升到10V或更高。因為內部電路復雜，帶隙基準器件的售價往往比齊納管高。有時候，我們可能需要用到成本低的低噪聲基準。發光二極管（Light Emitting Diode，簡寫為LED）以及以正向偏置方式工作的小信號二極管，因為噪聲相對較小、價錢也較低，可供我們選用。
帶隙基準內部常配有放大器，因此其輸出電阻降低了很多，典型值約為0.2Q或更小。
電壓基準的一個重要參數是斜率電阻( slope resistance)（譯注：相當于內阻）。電壓基準正常工作時，斜率電阻等于等效電路的戴維南電阻。不能因此推論，應該為二極管選用很大的工作電流。而只是要求在設置于線性工作區內的同時，應設法令其電流變動較小，以便獲得較小的壓降變化。
基于二極管正向壓降的電壓基準稱為帶隙( band-gap)器件，而基于反向擊穿電壓的則稱為齊納( Zener)二極管。
為避免損壞，所有的電壓基準應該對流過的電流加以限制，采用恒流源方式則較為理想。
通常供應的齊納二極管，額定功率可上至75W，最常見的規格為400rnW。額定電壓為2.7～270V。二極管結被反向偏置后，比正向偏置時產生更多的噪聲，因此，齊納管的噪聲比帶隙器件大。實際上，真正的齊納管工作電壓小于等于SV，如果“齊納”管的額定電壓大于等于5V，則表明它利用了雪崩效應(avalancheeffect)。6.2V的齊納管恰好利用了齊納效應與雪崩效應的相互抵消，溫度系數幾乎為零，而斜率電阻也得以降低。當齊納管的額定電壓高于6V時，斜率電阻逐漸上升。當齊納管的額定電壓低于6V，斜率電阻急劇上升。而工作于SmA時，6.2V齊納二極管的斜率電阻典型值約為10Q。
帶隙基準通常是以復雜的集成電路形式出現，常見的輸出電壓為1.2V，但通過內部的放大器，可將輸出電壓提升到10V或更高。因為內部電路復雜，帶隙基準器件的售價往往比齊納管高。有時候，我們可能需要用到成本低的低噪聲基準。發光二極管（Light Emitting Diode，簡寫為LED）以及以正向偏置方式工作的小信號二極管，因為噪聲相對較小、價錢也較低，可供我們選用。
帶隙基準內部常配有放大器，因此其輸出電阻降低了很多，典型值約為0.2Q或更小。
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