圖3.33是利用LM319N這種性質LM319N的零偏置源極接地放大電路。這個電路的結構簡單，應用于話筒放大器或者高輸入阻抗的前置放大器等。

    柵極偏置電路只用一個Rc一lMtQ的電阻，將柵極偏置為與源極電位相同的OV(GND電平)(VGS=OV)。因此，沒有信號輸入時的漏極電流就變成IDSS。
    如果輸入端有電壓輸入，VGS就以OV為中心正負擺動（輸入電壓一VGS），漏極電流就以IDSS為中心增減。后面的電路與一般的源極接地放大電路相同，這個漏極電流的變化部分在RD上變換為電壓，作為輸出被取出。
    由于是源極直接接地（沒有源極電阻），所以這個電路的電壓增益為g。×RD(參看式(3.20))。
    考慮到所使用JFET的IDSS的分散性，取IDSS最大時RD上的電壓降為適當的值，以此設定RD的值。
    表3.2是圖3.33中電路所使用的JFET 2SK330的特性。由于2SK330GR的IDSS分散在2.6～6.5mA之間，設RD一620Q，當bSS一6.5mA時，RD上的電壓降為4V( =620fl×6.5mA)。這時的漏極電位為1V(=5V-4V)，歷以漏極電位就以這個電壓為中心擺動。
    如果增大RD，電路的增益也提高。但是由于漏極電壓接近GND，所以取不出輸出振幅（當然，RD上的電壓降超過電源電壓時也不能工作）。
    當希望提高電路的增益時，不應該增大RD的值，而應該選用gM大的JFET。
    如果這個電路的輸入電壓為+0.6～+0.7V，由于柵極一源極間的二極管將會導通（作為放大電路就不能工作），所以不太能夠輸入較大振幅的信號。由圖3.32看出，線性輸入的電壓范圍為1.2Vp_p(-0.6～+0.6V)。