為了使晶體管導通，必須有CD4031BE極電流流過。圖12.5使用晶體管的開關電源電路中，開關晶體管的基極電流是無用電流（不是提供給負載的電流），所以基極電流降低了電路的效率。
    基極電流導致效率的降低給這里設計的小規模電源中帶來很大的影響。所以在希望提高小規模電源效率的場合，應該采用MOSFET開關器件。MOSFET沒有柵極電流流動，所以為使開關器件導通而損耗的功率非常小，從而提高了電路的效率。
    圖12.13是將圖12.5中Tri換為P溝MOSFET的電路（其他部分與圖12.5相同）。MOSFET的柵偏壓由IC1的4號管腳提供，所以沒有必要使用柵偏壓電阻（圖12.5的R3、R4）。
    選擇MOSFET的方法與使用晶體管的場合完全相同，在這個電路中，選擇ID≥210mA，VDSS≥15. 3V的器件。圖12.13中選用的是最大額定值ID=8A，VDSs=100V的2SJ128(NEC)。