晶體三極管的極限參數
發布時間:2012/12/16 19:42:16 訪問次數:2824
晶體管工作時，加在晶體管上的電壓和通過晶體管的電流是有一定限度的，超過限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數就是用來說明這種限制的，晶體管的極限參數主要有下面三種：
1．集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時，晶體管的M29F040B70N6E參數開始發生變化，犄別是電流放大系數p要下降。一般規定』8值下降到原來數值的1／2（或l／3）時的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時，集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價的。
2．集電極一發射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說，集電極接正極、發射極接負極，PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發射極間電壓VCE大于B Vc EO時，流經晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時，其允許電壓要比常溫下的數值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時，要留有一定的耐壓余量。
1．集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時，晶體管的M29F040B70N6E參數開始發生變化，犄別是電流放大系數p要下降。一般規定』8值下降到原來數值的1／2（或l／3）時的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時，集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價的。
2．集電極一發射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說，集電極接正極、發射極接負極，PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發射極間電壓VCE大于B Vc EO時，流經晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時，其允許電壓要比常溫下的數值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時，要留有一定的耐壓余量。
晶體管工作時，加在晶體管上的電壓和通過晶體管的電流是有一定限度的，超過限度將使晶體管損壞或者影響它的正常性能。晶體管的極限參數就是用來說明這種限制的，晶體管的極限參數主要有下面三種：
1．集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時，晶體管的M29F040B70N6E參數開始發生變化，犄別是電流放大系數p要下降。一般規定』8值下降到原來數值的1／2（或l／3）時的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時，集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價的。
2．集電極一發射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說，集電極接正極、發射極接負極，PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發射極間電壓VCE大于B Vc EO時，流經晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時，其允許電壓要比常溫下的數值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時，要留有一定的耐壓余量。
1．集電極最大允許電流ICM
當集電極電流J。超過一定值時，晶體管的M29F040B70N6E參數開始發生變化，犄別是電流放大系數p要下降。一般規定』8值下降到原來數值的1／2（或l／3）時的集電極電流，叫做集電極最大允許電流，用ICM表示。
在使用晶體管時，集電極電流Ic超過ICM并不一定會使晶體管損壞，然而它是以降低p值為代價的。
2．集電極一發射極擊穿電壓B VCEO
當基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓，叫做集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO(對NPN型管來說，集電極接正極、發射極接負極，PNP型管的電壓極性則相反)。當集電極一發射極間電壓VCE大于B Vc EO時，流經晶體管的電流將突然增加很多，晶體管就被擊穿。
在手冊中給出的B Vceo，值一般是常溫(25℃)下的值，晶體管在高溫下使用時，其允許電壓要比常溫下的數值低得多。所以在高溫情況下使用晶體管時，要留有一定的耐壓余量。
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- 12-6與門電路
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