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集電極最大允許耗散功率PCM

發布時間:2012/12/16 19:43:35 訪問次數:7848

    晶體管在正常工作時,集電結上加的MBRF1635是反向電壓,電流經過集電結時將產生大量的熱,使集電結溫度升高。如果集電極電流過大,集電結將因過熱而燒壞或者使晶體管性能發生很大變化。
    集電極最大允許耗散功率P。:M,就是使晶體管因受熱而引起的參數變化不超過允許值時,集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下,晶體管仍能正常地、安全地工作。
    晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc:一VCE×Ic,使用時應該使PC<PCM。
    晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結溫度(簡稱結溫,用Tj表示)的限制,通常鍺管的工作溫度上限是70℃~90 0C,硅管可達150℃,在使用時應加以注意。
    特別要提請注意的是,晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達到,否則將大大超過PCM值。同時,還要考慮環境溫度的影響,因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數值。
    PCM與散熱條件有關.增加散熱片可提高PCM。
    晶體三極管的分類
    晶體管三極管的種類和型號有很多,它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管;按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管;按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管;按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關管等。
    晶體管在正常工作時,集電結上加的MBRF1635是反向電壓,電流經過集電結時將產生大量的熱,使集電結溫度升高。如果集電極電流過大,集電結將因過熱而燒壞或者使晶體管性能發生很大變化。
    集電極最大允許耗散功率P。:M,就是使晶體管因受熱而引起的參數變化不超過允許值時,集電極所消耗的最大功率。在這個耗散功率下,晶體管仍能正常地、安全地工作。
    晶體管的實際耗散功率等于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc:一VCE×Ic,使用時應該使PC<PCM。
    晶體管的最大允許耗散功率主要受PN結溫度(簡稱結溫,用Tj表示)的限制,通常鍺管的工作溫度上限是70℃~90 0C,硅管可達150℃,在使用時應加以注意。
    特別要提請注意的是,晶體管工作時集電極最大允許電流ICM和集電極一發射極擊穿電壓B V(:EO不允許同時達到,否則將大大超過PCM值。同時,還要考慮環境溫度的影響,因為手冊上所列的PCM值一般都是常溫下的數值。
    PCM與散熱條件有關.增加散熱片可提高PCM。
    晶體三極管的分類
    晶體管三極管的種類和型號有很多,它們各有不同的用途。按照材料可以將晶體管分為鍺晶體管和硅晶體管;按照極性可以分為PNP型晶體管和NPN型晶體管;按照頻率特性可以分為低頻晶體管和高頻晶體管;按照功率大小可以分為小功率管、中功率管和大功率管;按照用途可以分為普通管、變頻管、高頻管、中放管、低噪聲放大管、功率放大管、開關管等。

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