絕緣柵型場效應晶體管的DTA114EEFRA結構及工作原理
    絕緣柵型場效應晶體管有N溝道和P溝道兩類，每類按結構不同又分為增強型和耗盡型。絕緣柵型場效應晶體管的導電機理是，利用UCs控制“感應電荷”的多少來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流。二者的區別是增強型MOS管在柵源電壓UCs =0時，漏源極之間沒有導電溝道存在，即使加上電壓UDS（在一定的數值范圍內），也沒有漏極電流產生(，。=0)。而耗盡型MOS管在UCs =0時，漏源極間就有導電溝道存在。

          
    增強型MOS管
    如圖1-22所示為N溝道增強型MOS管的結構示意圖和符號，它是在一塊P型硅襯底上，擴散兩個高濃度摻雜的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在兩介N+區之間的硅表面上制作一層很薄的二氧化硅( Si02)絕緣層，在漏源極間的絕緣層上再裝一個鋁電極，作為柵極（柵極與其他電極間是絕緣的）。另外，在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。P溝道增強型MOS管的箭頭方向與上述相反。