場效應晶體管的結構是怎樣的
    場效應晶體管是一種半導體器件，但它的工2SK2858-T1-A作原理與晶體三極管不同，晶體三極管是一種電流控制器件，它是以基極電流的微小變化而引起集電極電流的較大變化，而場效應晶體管則是一種壓控電源器件，即流人的漏極電流。受柵源電壓UCs的控制。
    結型場效應晶體管的結構及工作原理
    如圖1- 21所示，結型場效應晶體管是在一塊N型半導體材料（硅片）的兩側各擴散一個高雜質濃度的P型區（用P+表示），形成兩個對稱的PN結，將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極C)，在N型半導體的兩端各引出一個電極，分別稱為源極(S)和漏極(D)。夾在兩個PN結中間的N區是電流的通道，稱為導電溝道（簡稱溝道），這種管子稱為N溝道結型場效應晶體管。如果在一塊P型半導體的兩側各擴散一個高雜質濃度的N型區，就可以制成一個P溝道的結型場效應晶體管。圖1-21結型場效應晶體管結構及電路符號。

         
    結型場效應晶體管的工作原理：利用半導體內的電場效應，當給柵極加上控制電壓時，導電溝道的寬度將隨控制電壓的大小而發生變化，從而實現用電壓控制溝道電流（源極和漏極之間的電流）的目的。當溝道被夾斷時，源極和漏極之間被關斷，沒有電流流過。綜上所述，JFET與MOSFET工作原理相似，它們都是利用電場效應控制電流，不同之處僅在于導電溝道形成的原理不同。