效應晶體管如何分類
發布時間:2013/3/25 19:18:52 訪問次數:577
效應晶體管如2SK2857-T1-AZ何分類？
場效應晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結構分類
場效應晶體管按結構可分為結型場效應晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優越，發展迅速，應用廣泛。
結型場效應晶體管的特點是兩個PN結。絕緣柵型場效應晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應晶體管中，應用最廣泛的是MOS場效應管(即金屬一氧化物一半導體場效應管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導電方式分類
場效應晶體管按導電方式可分為耗盡型與增強型。結型場效應晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
場效應晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結構分類
場效應晶體管按結構可分為結型場效應晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優越，發展迅速，應用廣泛。
結型場效應晶體管的特點是兩個PN結。絕緣柵型場效應晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應晶體管中，應用最廣泛的是MOS場效應管(即金屬一氧化物一半導體場效應管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導電方式分類
場效應晶體管按導電方式可分為耗盡型與增強型。結型場效應晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
效應晶體管如2SK2857-T1-AZ何分類？
場效應晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結構分類
場效應晶體管按結構可分為結型場效應晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優越，發展迅速，應用廣泛。
結型場效應晶體管的特點是兩個PN結。絕緣柵型場效應晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應晶體管中，應用最廣泛的是MOS場效應管(即金屬一氧化物一半導體場效應管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導電方式分類
場效應晶體管按導電方式可分為耗盡型與增強型。結型場效應晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
場效應晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結構分類
場效應晶體管按結構可分為結型場效應晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優越，發展迅速，應用廣泛。
結型場效應晶體管的特點是兩個PN結。絕緣柵型場效應晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應晶體管中，應用最廣泛的是MOS場效應管(即金屬一氧化物一半導體場效應管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導電方式分類
場效應晶體管按導電方式可分為耗盡型與增強型。結型場效應晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
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