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永光化學深耕彩色光阻劑領域

發布時間:2008/5/27 0:00:00 訪問次數:1378

        

    

    

     永光化學/電子化學事業處/技術發展部 顏料分散型彩色光阻劑(pigment dispersed color resists, pdcr)為lcd平面顯示器彩色化的關鍵材料,臺灣永光化學本著多年來致力于電子化學品開發的經驗,并在1998年于工業技術研究院移轉此彩色光阻技術,至今已建立完整的技術能力,并成為臺灣第一家本土供應的廠商。 永光開發的產品除能符合彩色濾光片制程上低曝光能量、高現像能力等寬容制程條件外,更具有高解析、高色飽和度之特性。在彩色光阻色度調配之技術上,永光更能快速提供符合客戶新色度產品需求之光阻材料。而這些自有技術能力當可協助臺灣lcd產業充分發揮關鍵材料就地開發與供應的優勢。 隨著彩色手機市場及小尺寸彩色面板應用的快速發展,cstn lcd除挾著既有省能及低成本的優勢外,過去令人詬病的應答速率也因在驅動ic效能瓶頸的突破,令cstn廠近來又重新找回市場的利基點。早在臺灣開始引進cstn lcd技術之初,永光化學即與臺灣cstn彩色濾光片 (cf) 廠商進行相關材料的合作開發。永光熟知cstn lcd產品對pdcr材料之需求,也充分掌握光阻劑配合cf制程所必須考慮的各項特性。特別是針對小尺寸彩色面板在設計上不似大面板走向標準化規格的趨勢,在色彩的呈現上因著產品類型的多元化,彩色光阻廠必須能針對lcd產品色彩的設計及cstn lcd構裝上材料或組件的差異,在彩色光阻劑色度及制程特性上作不同的因應調整。對此,無論是應用在反射式cstn、半反射式cstn上的彩色光阻劑,或是針對red、green、blue三色光阻的特殊色度設計、調整白光色偏移(white balance)等需求,永光化學的彩色光阻材料均能提供解決的對策。近幾年來永光在cstn lcd彩色光阻劑系列產品的開發上,除能提供色彩飽和度從ntsc ratio 5~60%的光阻產品,在提升光阻劑亮度的進展上已有關鍵性的突破。 cstn lcd以小尺寸面板產品為主,臺灣廠商多使用第一、二代設備及基板。相對而言,notebook pc、monitor、lcd tv等大尺寸面板產品,因應答速率的要求高于cstn lcd的設計極限,幾乎都是tft lcd的市場。 因為產品尺寸的不同,tft lcd廠在面板產能及經濟效益考慮下,大都以第三代以上的設備及基板尺寸作為投資目標。為此,提供tft lcd廠彩色化組件的cf廠,其設備及基板的投資選擇也需與配合的tft lcd廠一致。對提供cf彩色化材料的彩色光阻劑廠來說,基板尺寸的差異也是材料開發技術上重要的分界。 cstn及tft lcd的彩色光阻劑技術上的差異,主要可從涂布特性及光阻與基板附著性兩方面來考量。在涂布特性上,基板擴展到第三代以上尺寸后,光阻劑在基板上進行旋轉涂布時,由注入光阻劑的基板中心位置到玻璃端點的距離遠長于第一、二代基板,若光阻劑的設計未考量到流變性、流平性、及揮發速率的控制,光阻在涂布、預烤后將會出現判定異常的波痕(mura)現象。而在光阻與基板附著性上,因cstn使用的是soda-lime玻璃基板涂布一層sio2,與tft lcd使用的無堿玻璃不同,所以光阻劑的設計需考量到附著性差異的影響。除這兩方面的差異外,光阻材料的信賴性測試也因cstn構裝上有使用overcoat保護層,而tft lcd的cf可有不使用的差異設計而有不同的規格要求。 近幾年臺灣在lcd上的耕耘已帶動了新一波的產業投資熱潮,不論是tft、stn,包含大、小尺寸各型面板產品,多樣彩色化商品的推出及廣泛應用的推展已是市場的趨勢。面對不論是新制造技術的需求,或是因應多樣化產品的色度要求,pdcr廠與cf廠、lcd廠之密切合作與快速整合對技術的進展或產品的推出極為關鍵。永光化學秉持著關懷客戶、共創價值的經營理念,以多年在pdcr開發的經驗及自有技術,積極配合臺灣的lcd產業,加速推出新產品,以善盡本土材料供貨商之企業責任。 duv光阻劑 永光化學繼g-line及i-line光阻之后,目前在krf系統的248nm光阻方面,推出有epk711及721兩款產品,并已通過廠商實驗室驗證。其中epk711適用于180奈米邏輯線路制程之應用,具有高穿透性及靈敏度,提供高曝光寬容度(exposure latitude)及聚焦景深(depth of focus)的制程窗口(process window)。epk721為適用于180奈米以下隨機動態存取內存(dram)產品制程,除具高分辨率及大聚焦景深外,還具備熱穩定性。另正進行開發適用于140奈米以下隨機動態存取內存(dram)制程之光阻劑;除了關鍵層(critical layer)之光阻產品外,為配合客戶之制程轉換,也推出非關鍵層krf用厚膜光阻劑epk770,適用在離子植入之制程。另為配合客戶制程所須,亦正在研發適用于較低烘烤溫度制程之離子植入層用krf厚膜光阻劑。 至于在130奈米以下光阻劑的開發,則持續開發應用于125奈米及110奈米的krf光阻劑,也已有初步成果。 縱觀目前半導體制程的技術結點,約略以180、130、90

        

    

    

     永光化學/電子化學事業處/技術發展部 顏料分散型彩色光阻劑(pigment dispersed color resists, pdcr)為lcd平面顯示器彩色化的關鍵材料,臺灣永光化學本著多年來致力于電子化學品開發的經驗,并在1998年于工業技術研究院移轉此彩色光阻技術,至今已建立完整的技術能力,并成為臺灣第一家本土供應的廠商。 永光開發的產品除能符合彩色濾光片制程上低曝光能量、高現像能力等寬容制程條件外,更具有高解析、高色飽和度之特性。在彩色光阻色度調配之技術上,永光更能快速提供符合客戶新色度產品需求之光阻材料。而這些自有技術能力當可協助臺灣lcd產業充分發揮關鍵材料就地開發與供應的優勢。 隨著彩色手機市場及小尺寸彩色面板應用的快速發展,cstn lcd除挾著既有省能及低成本的優勢外,過去令人詬病的應答速率也因在驅動ic效能瓶頸的突破,令cstn廠近來又重新找回市場的利基點。早在臺灣開始引進cstn lcd技術之初,永光化學即與臺灣cstn彩色濾光片 (cf) 廠商進行相關材料的合作開發。永光熟知cstn lcd產品對pdcr材料之需求,也充分掌握光阻劑配合cf制程所必須考慮的各項特性。特別是針對小尺寸彩色面板在設計上不似大面板走向標準化規格的趨勢,在色彩的呈現上因著產品類型的多元化,彩色光阻廠必須能針對lcd產品色彩的設計及cstn lcd構裝上材料或組件的差異,在彩色光阻劑色度及制程特性上作不同的因應調整。對此,無論是應用在反射式cstn、半反射式cstn上的彩色光阻劑,或是針對red、green、blue三色光阻的特殊色度設計、調整白光色偏移(white balance)等需求,永光化學的彩色光阻材料均能提供解決的對策。近幾年來永光在cstn lcd彩色光阻劑系列產品的開發上,除能提供色彩飽和度從ntsc ratio 5~60%的光阻產品,在提升光阻劑亮度的進展上已有關鍵性的突破。 cstn lcd以小尺寸面板產品為主,臺灣廠商多使用第一、二代設備及基板。相對而言,notebook pc、monitor、lcd tv等大尺寸面板產品,因應答速率的要求高于cstn lcd的設計極限,幾乎都是tft lcd的市場。 因為產品尺寸的不同,tft lcd廠在面板產能及經濟效益考慮下,大都以第三代以上的設備及基板尺寸作為投資目標。為此,提供tft lcd廠彩色化組件的cf廠,其設備及基板的投資選擇也需與配合的tft lcd廠一致。對提供cf彩色化材料的彩色光阻劑廠來說,基板尺寸的差異也是材料開發技術上重要的分界。 cstn及tft lcd的彩色光阻劑技術上的差異,主要可從涂布特性及光阻與基板附著性兩方面來考量。在涂布特性上,基板擴展到第三代以上尺寸后,光阻劑在基板上進行旋轉涂布時,由注入光阻劑的基板中心位置到玻璃端點的距離遠長于第一、二代基板,若光阻劑的設計未考量到流變性、流平性、及揮發速率的控制,光阻在涂布、預烤后將會出現判定異常的波痕(mura)現象。而在光阻與基板附著性上,因cstn使用的是soda-lime玻璃基板涂布一層sio2,與tft lcd使用的無堿玻璃不同,所以光阻劑的設計需考量到附著性差異的影響。除這兩方面的差異外,光阻材料的信賴性測試也因cstn構裝上有使用overcoat保護層,而tft lcd的cf可有不使用的差異設計而有不同的規格要求。 近幾年臺灣在lcd上的耕耘已帶動了新一波的產業投資熱潮,不論是tft、stn,包含大、小尺寸各型面板產品,多樣彩色化商品的推出及廣泛應用的推展已是市場的趨勢。面對不論是新制造技術的需求,或是因應多樣化產品的色度要求,pdcr廠與cf廠、lcd廠之密切合作與快速整合對技術的進展或產品的推出極為關鍵。永光化學秉持著關懷客戶、共創價值的經營理念,以多年在pdcr開發的經驗及自有技術,積極配合臺灣的lcd產業,加速推出新產品,以善盡本土材料供貨商之企業責任。 duv光阻劑 永光化學繼g-line及i-line光阻之后,目前在krf系統的248nm光阻方面,推出有epk711及721兩款產品,并已通過廠商實驗室驗證。其中epk711適用于180奈米邏輯線路制程之應用,具有高穿透性及靈敏度,提供高曝光寬容度(exposure latitude)及聚焦景深(depth of focus)的制程窗口(process window)。epk721為適用于180奈米以下隨機動態存取內存(dram)產品制程,除具高分辨率及大聚焦景深外,還具備熱穩定性。另正進行開發適用于140奈米以下隨機動態存取內存(dram)制程之光阻劑;除了關鍵層(critical layer)之光阻產品外,為配合客戶之制程轉換,也推出非關鍵層krf用厚膜光阻劑epk770,適用在離子植入之制程。另為配合客戶制程所須,亦正在研發適用于較低烘烤溫度制程之離子植入層用krf厚膜光阻劑。 至于在130奈米以下光阻劑的開發,則持續開發應用于125奈米及110奈米的krf光阻劑,也已有初步成果。 縱觀目前半導體制程的技術結點,約略以180、130、90

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