(1)光敏電阻器的結構特性。
    光敏電阻器的通常A9W-K由光敏層、玻璃基片（或樹脂防潮膜）和電極等組成，其結構與外形如圖1-42所示。
    圖1-42光敏電阻器的結構和外形
    光敏電阻器是用硫化鎘(CdSe)或硒化鎘(CdSe)等半導體材料制成的特殊屯阻器，這些半導體具有光電導效應，因此，光敏電阻器對光線十分明感。它在無光照射時，呈高阻狀態，暗阻值一般可達1.56MQ以上；當有光照射時，材料中便激發出自由電子和空穴，其電阻值減小，隨著照度的升高，電阻值迅速降低，電阻值可小至lkQ以下。可見，光敏電阻的暗阻和亮阻間阻值比約為1500:1，其暗阻值越高越好。使用時給它施以直流或交流偏壓。

         
    (2)光敏電阻器的應用。
    光敏電阻器廣泛應用于各種自動控制電路（如自動照明燈控制電路、自動報警電路）、家用電器（如電視機中的亮度自動調節，照相機中的自動曝光控制）及各種測量儀器中。圖1-43是采用光敏電咀器的應急自動照明電路。