單結晶體E2E-X5F1-Z管有三個電極，兩個基極（第一基極bl、第二基極b2）和一個發射極e，因此也稱為雙基極二極管，其結構、等效電路、圖形符號及其引腳如圖6-55所示。
    在一塊高電阻率的N型硅半導體基片上，引出兩個歐姆接觸極：第一基極bl、第二基極b2，這兩個基極之間的電阻Rb就是基片的電阻，其值約為2～12kQ。在兩基片間，靠近b2處設法摻入P型雜質——鋁，引出電極稱為發射極e，e對bl或b2就是一個PN結，具有二極管的導電特性，又稱雙基極二極管。其等效電路如圖6-55 (b)所示，圖中Rbl、Rb2分別為發射極e與第一基極bl、第二基極b2之間的電阻。

           
    單結晶體管的實驗電路和伏安特性如圖6-56所示。
    (1)當Sl閉合S2斷開時，/bb=0，二極管VD與Rbl組成串聯電路，Ue與厶的關系曲線與二極管正向特性曲線接近。
    (2)當Sl斷開、S2閉合時，外加基極電壓Ubb經過Rbl、Rb2分壓，則A點對bl之間的電壓U。
    (3) Sl閉合S2也閉合，即單結晶體管加上一定的基極電壓Ubb。
    Ue從零開始逐漸增大，當Ue< UA時，二極管VD處于反偏，VD不尋通，只有很小的反向漏電流，如圖6-56所示。
    當Ue=UA時，二極管VD處于零偏，電流/e=0，如圖6-56中的b點，管子仍處于截止狀態。
    當Ue再增大，UA< Ue< UA+UD時（UD為硅二極管的導通壓降，一般為0.7V），二極管VD開始正偏，但管子仍處于截止狀態，只有很小的正向漏電流流過，即厶>0。
    當Ue繼續增大，達到Up值（圖中P點）時，Up= UA+ UD，二極管充分導通，顯著增大，當繼續增大時，發射極P區的空穴不斷地注入N區，與基片中的電子不斷會合，使N區Rbl段中的載流子大量增加，使Rbl阻值迅速減小，UA降低，厶進一步增大，而厶的增大又進一步使Rbl減小，形成強烈的正反饋。隨著厶的增大，UA降低，又由于Ue=UA+ UD，所以“不斷減小，從而
得出單結晶體管的發射極e與第一基極bl之間的動態電阻AR。bl=A Ue/A/e為負值，這就是單結晶體管特有的負阻特性。如圖6-56所示，在曲線上對應的P、V兩點之間的區域，稱為負阻區，坼稱為峰點電壓，Uv為谷點電壓。
    進入負阻區后，當厶繼續增大，即注入到N區的空穴增大到一定量時，一部分空穴來不及與基區電子復合，從而剩余一部分空穴，使繼續注入空六受到阻力，相當于Rbl變大，因此，在谷點V之后，單結晶體管工作工作狀態由負阻區進入飽和區，恢復其正阻特性，這時乩隨厶的增大而逐漸增大。顯而易見，Uv是維持單結晶體管導通所需要的最小發射極電壓，一旦出現Ue< Uv時，單結晶體管將重新截止，一般Uv為2～5V。
    當Ubb改變時，UP也隨之改變。這樣，改變Ubb就可以得到一組伏安特性曲線。對晶閘管觸發電路來說，最希望選用分壓比玎較大、谷點電壓U小一點的單結晶體管，從而使輸出脈沖幅值及調節電阻范圍比較寬。