溫度特性與散熱
發布時間:2013/5/27 20:17:53 訪問次數:868
半導體器件的共同缺點是E6C2-AB5C其特性參數受溫度影響大，除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外，由于溫度升高將使Ue。。升高，L也將增大，輸出功率下降，最大允許功耗和二次擊穿觸發功率均要下降，結果使電力晶體管GTR的安全工作區面積縮小。必須采取有效散熱措施，選配適當的散熱器，裉據容量等級采用自然冷卻、風冷或沸騰冷卻方式，確保GTR不超過規定的結溫最大值。
熱損壞由結溫過高所致，結溫升高由發熱引起，發熱量則由功耗轉變而來。因此，若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關條件下工作的GTR，其功耗由靜態導通功耗、動態開關損耗和基極驅動功耗三部分組成。設法降低導通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關軌跡等均可達到減小GTR功耗的目的。
恒流驅動電路
“恒流驅動”是指GTR的基極電流保持恒定，不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負載情況下都能處于飽和導通，所需的基極電流厶應按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以，恒流驅動使空載或空載時飽和深度加劇，存儲時間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施，并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路，其基本形式如圖7-9所示，其目的是將多余的基極電流從集電極引出，使GTR在不同集電極電流情況下都處于準飽和狀態，使集電結處于零偏置或輕微正向偏置的狀態。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管，VD3為反向基流提供回路。輕載時，當GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時，A點電位高于集電極電位，VD2導通，將《分流，使流過二極管VD1的基極電流厶減小，從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲時間，使在不同負載情況下及使用離散性較大的GTR時存儲時間趨向一致，但需增加二個二極管，鉗位二極管VD2必須是快速恢復二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當。由于電路工作于準飽和狀態正向壓降增加，增大了導通損耗。
熱損壞由結溫過高所致，結溫升高由發熱引起，發熱量則由功耗轉變而來。因此，若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關條件下工作的GTR，其功耗由靜態導通功耗、動態開關損耗和基極驅動功耗三部分組成。設法降低導通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關軌跡等均可達到減小GTR功耗的目的。
恒流驅動電路
“恒流驅動”是指GTR的基極電流保持恒定，不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負載情況下都能處于飽和導通，所需的基極電流厶應按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以，恒流驅動使空載或空載時飽和深度加劇，存儲時間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施，并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路，其基本形式如圖7-9所示，其目的是將多余的基極電流從集電極引出，使GTR在不同集電極電流情況下都處于準飽和狀態，使集電結處于零偏置或輕微正向偏置的狀態。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管，VD3為反向基流提供回路。輕載時，當GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時，A點電位高于集電極電位，VD2導通，將《分流，使流過二極管VD1的基極電流厶減小，從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲時間，使在不同負載情況下及使用離散性較大的GTR時存儲時間趨向一致，但需增加二個二極管，鉗位二極管VD2必須是快速恢復二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當。由于電路工作于準飽和狀態正向壓降增加，增大了導通損耗。
半導體器件的共同缺點是E6C2-AB5C其特性參數受溫度影響大，除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外，由于溫度升高將使Ue。。升高，L也將增大，輸出功率下降，最大允許功耗和二次擊穿觸發功率均要下降，結果使電力晶體管GTR的安全工作區面積縮小。必須采取有效散熱措施，選配適當的散熱器，裉據容量等級采用自然冷卻、風冷或沸騰冷卻方式，確保GTR不超過規定的結溫最大值。
熱損壞由結溫過高所致，結溫升高由發熱引起，發熱量則由功耗轉變而來。因此，若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關條件下工作的GTR，其功耗由靜態導通功耗、動態開關損耗和基極驅動功耗三部分組成。設法降低導通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關軌跡等均可達到減小GTR功耗的目的。
恒流驅動電路
“恒流驅動”是指GTR的基極電流保持恒定，不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負載情況下都能處于飽和導通，所需的基極電流厶應按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以，恒流驅動使空載或空載時飽和深度加劇，存儲時間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施，并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路，其基本形式如圖7-9所示，其目的是將多余的基極電流從集電極引出，使GTR在不同集電極電流情況下都處于準飽和狀態，使集電結處于零偏置或輕微正向偏置的狀態。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管，VD3為反向基流提供回路。輕載時，當GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時，A點電位高于集電極電位，VD2導通，將《分流，使流過二極管VD1的基極電流厶減小，從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲時間，使在不同負載情況下及使用離散性較大的GTR時存儲時間趨向一致，但需增加二個二極管，鉗位二極管VD2必須是快速恢復二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當。由于電路工作于準飽和狀態正向壓降增加，增大了導通損耗。
熱損壞由結溫過高所致，結溫升高由發熱引起，發熱量則由功耗轉變而來。因此，若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關條件下工作的GTR，其功耗由靜態導通功耗、動態開關損耗和基極驅動功耗三部分組成。設法降低導通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關軌跡等均可達到減小GTR功耗的目的。
恒流驅動電路
“恒流驅動”是指GTR的基極電流保持恒定，不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負載情況下都能處于飽和導通，所需的基極電流厶應按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以，恒流驅動使空載或空載時飽和深度加劇，存儲時間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施，并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路，其基本形式如圖7-9所示，其目的是將多余的基極電流從集電極引出，使GTR在不同集電極電流情況下都處于準飽和狀態，使集電結處于零偏置或輕微正向偏置的狀態。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管，VD3為反向基流提供回路。輕載時，當GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時，A點電位高于集電極電位，VD2導通，將《分流，使流過二極管VD1的基極電流厶減小，從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲時間，使在不同負載情況下及使用離散性較大的GTR時存儲時間趨向一致，但需增加二個二極管，鉗位二極管VD2必須是快速恢復二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當。由于電路工作于準飽和狀態正向壓降增加，增大了導通損耗。
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- E6C2-AB5C
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