比例驅動電路
發布時間:2013/5/27 20:23:09 訪問次數:1652
比例驅動就是使GTR的基極電E6C2-AG5C流正比子集電極電流變化,保證在不同負載時器件的飽和深度基本相同,并使輕載時的驅動功率大大減小。
(1)反激式比例驅動電路。
反激式比例驅動電路如圖7-13所示。該電路由驅動變壓器T、晶體管VT、電阻尺、二極管VD及穩壓管VZ等元器件構成。當驅動信號Ui為高電平時,晶體管VT導通,鐵心在‘Ni作用下磁化并在各繞組中感應出星號端為負的電動勢,這樣GTR因基極反偏而截止。當M變為低電平時,晶體管VT截止,電流‘消失,各繞組中感應出星號端為正的電動勢,鐵心中的磁場能經GTR的基極回路釋放,促使GTR導通,GTR -經導通則形成集電極電流,該電流經反饋繞組WF使鐵心去磁而脫離飽和,此時WF與WB形成電流互感器的工作狀態,fc上升,fB也上升,形成正反饋,使GTR迅速全面導通。
當地再度變為高電平時,晶體管VT又導通,由于fc尚未來得及下降,故各繞組的星號端仍
維持為正,VT的導通相當于通過二極管VD將W2統組短接,迫使各繞組的感應電動勢均接近于零。加速電容C上的電壓使GTR發結反偏,使其基區過剩載流子迅速消散,GTR脫離飽和,fc下降使各繞組電動勢反向,WB上的電動勢繼續使GTR反偏,加速fc下降直至GTR被關斷,等待下次驅動信號的到來。
(2)具有強制開通和強制關斷的比例驅動電路。
一般的比例驅動電路主要靠正反饋加速電力晶體管GTR的開通過程,但當其工作頻率較高時,由于分布參數的影響使其開通速度變慢,此時可采用如圖7-14所示的強制開通與強制關斷的比例驅動電路。
圖7-13反激式比例驅動電路 圖7-14強制開通與關斷的比例驅動電路
當為低電平時,驅動管VT截止,電力晶體管GTR也截止,其集電極為高電平。當%由低變高時,驅動管VT導通,GTR集電極的高電平通過二極管VD2及VT為GTR提供很大的正向基極電流,迫使GTR迅速開通。同時,通過電流互感器TA的作用,在TA二次繞組W2上產生與GTR集電極電流不成正比的電流,并經VD1、VT和GTR的發射結而流通,成為GTR的比例驅動電流。
當地為低電平時,驅動管VT截止,f2=0,互感器TA各繞組電壓上升。W3上星號端為正的電壓使VZ1擊穿并反向加于GTR的發射結上,此時,流過W3的電流f3也正比于電,并且成為GTR的反向基流,起比例反驅動作用,迅速抽出基區剩余載流子,減小了存儲時間。該電路驅動性能好,但電路較復雜。
比例驅動就是使GTR的基極電E6C2-AG5C流正比子集電極電流變化,保證在不同負載時器件的飽和深度基本相同,并使輕載時的驅動功率大大減小。
(1)反激式比例驅動電路。
反激式比例驅動電路如圖7-13所示。該電路由驅動變壓器T、晶體管VT、電阻尺、二極管VD及穩壓管VZ等元器件構成。當驅動信號Ui為高電平時,晶體管VT導通,鐵心在‘Ni作用下磁化并在各繞組中感應出星號端為負的電動勢,這樣GTR因基極反偏而截止。當M變為低電平時,晶體管VT截止,電流‘消失,各繞組中感應出星號端為正的電動勢,鐵心中的磁場能經GTR的基極回路釋放,促使GTR導通,GTR -經導通則形成集電極電流,該電流經反饋繞組WF使鐵心去磁而脫離飽和,此時WF與WB形成電流互感器的工作狀態,fc上升,fB也上升,形成正反饋,使GTR迅速全面導通。
當地再度變為高電平時,晶體管VT又導通,由于fc尚未來得及下降,故各繞組的星號端仍
維持為正,VT的導通相當于通過二極管VD將W2統組短接,迫使各繞組的感應電動勢均接近于零。加速電容C上的電壓使GTR發結反偏,使其基區過剩載流子迅速消散,GTR脫離飽和,fc下降使各繞組電動勢反向,WB上的電動勢繼續使GTR反偏,加速fc下降直至GTR被關斷,等待下次驅動信號的到來。
(2)具有強制開通和強制關斷的比例驅動電路。
一般的比例驅動電路主要靠正反饋加速電力晶體管GTR的開通過程,但當其工作頻率較高時,由于分布參數的影響使其開通速度變慢,此時可采用如圖7-14所示的強制開通與強制關斷的比例驅動電路。
圖7-13反激式比例驅動電路 圖7-14強制開通與關斷的比例驅動電路
當為低電平時,驅動管VT截止,電力晶體管GTR也截止,其集電極為高電平。當%由低變高時,驅動管VT導通,GTR集電極的高電平通過二極管VD2及VT為GTR提供很大的正向基極電流,迫使GTR迅速開通。同時,通過電流互感器TA的作用,在TA二次繞組W2上產生與GTR集電極電流不成正比的電流,并經VD1、VT和GTR的發射結而流通,成為GTR的比例驅動電流。
當地為低電平時,驅動管VT截止,f2=0,互感器TA各繞組電壓上升。W3上星號端為正的電壓使VZ1擊穿并反向加于GTR的發射結上,此時,流過W3的電流f3也正比于電,并且成為GTR的反向基流,起比例反驅動作用,迅速抽出基區剩余載流子,減小了存儲時間。該電路驅動性能好,但電路較復雜。