RC低頻衰減電路和RC低頻提升電路分析
發布時間:2013/8/14 19:57:52 訪問次數:2001
1.RC低頻衰減電路分析
如圖5-72所示是采用RC串聯電路來衰減低頻信號的電路。74HC08D電路中,VT1構成一級共發射極音頻放大器,電阻Rl和R2構成VT1基極偏置電路,R3是VT1集電極電阻,R4是VT1發射極負反饋電阻,R5和C4的串聯電路并聯在負反饋電阻R4上,也是負反饋電路的一部分。
圖5-72 RC串聯低頻衰減電路
對于負反饋電阻R4而言,其阻值越大,負反饋量越大,放大器的放大倍數越小。對于交流信號負反饋而言,VT1的發射極負反饋電阻應該是R5串聯C4再與R4并聯后的總阻抗,由于R4阻值不隨頻率變化而變化,所以主要是分析R5和C4串聯電路阻抗隨頻率變化時負反饋量的改變。
2.RC低頻提升電路分析
如圖5-73所示是采用RC串聯電路構成的低頻提升電路。電路中的VT1和VT2構成雙管音頻放大器,兩管均接成共發射極電路。R5和C4構成電壓串聯負反饋電路。
對于電壓并聯負反饋電路而言,負反饋電路的阻抗越大,負反饋量越小,放大器的放大倍數越大。這是分析這一低頻提升電路的基本思路,不掌握這一點就無法分析這一電路的工作原理。
如圖5-74所示是這- RC串聯電路的阻抗特性曲線,頻率低于800Hz時阻抗隨頻率降低而升高。如表5-18所示是低頻提升電路工作原理解說。
1.RC低頻衰減電路分析
如圖5-72所示是采用RC串聯電路來衰減低頻信號的電路。74HC08D電路中,VT1構成一級共發射極音頻放大器,電阻Rl和R2構成VT1基極偏置電路,R3是VT1集電極電阻,R4是VT1發射極負反饋電阻,R5和C4的串聯電路并聯在負反饋電阻R4上,也是負反饋電路的一部分。
圖5-72 RC串聯低頻衰減電路
對于負反饋電阻R4而言,其阻值越大,負反饋量越大,放大器的放大倍數越小。對于交流信號負反饋而言,VT1的發射極負反饋電阻應該是R5串聯C4再與R4并聯后的總阻抗,由于R4阻值不隨頻率變化而變化,所以主要是分析R5和C4串聯電路阻抗隨頻率變化時負反饋量的改變。
2.RC低頻提升電路分析
如圖5-73所示是采用RC串聯電路構成的低頻提升電路。電路中的VT1和VT2構成雙管音頻放大器,兩管均接成共發射極電路。R5和C4構成電壓串聯負反饋電路。
對于電壓并聯負反饋電路而言,負反饋電路的阻抗越大,負反饋量越小,放大器的放大倍數越大。這是分析這一低頻提升電路的基本思路,不掌握這一點就無法分析這一電路的工作原理。
如圖5-74所示是這- RC串聯電路的阻抗特性曲線,頻率低于800Hz時阻抗隨頻率降低而升高。如表5-18所示是低頻提升電路工作原理解說。