半導體材料的導電性不好，在其本征狀態，應用價值很小。RB521S-30T1G這是兇為在其導帶中只有數目有限的自由電子，價電子帶的空穴數目也有限。必須通過增加自由電子和空穴的數量以提高其導電性，對本征硅（或鍺）晶體進行改進，以發揮其在電子器件中的作用。在本節中將學習，這種改進是通過向本征材料中添加雜質來完成的。兩種非本征（非純凈）半導體材料（N型和P型）是所有類型的電子器件的關鍵組成部件。
    1．摻  雜
    通過向本征（純凈）半導體材料中添加雜質．可以對硅和鍺的導電性能進行全面的提高和控制。這個稱·為摻雜( Doping)的過程增加了載流子（電子和空穴）的數目。這兩種雜質分別是n型雜質和p型雜質。
    2．n型半導體
    要增加本征硅中的導帶電子的數目，就要添加五價( pentavalent)雜質原子。這些原子擁有5個價電子，如砷( As)、磷(P)和銻(Sb)，由于它們給半導體的晶體結構提供多余的電子，所以稱為施主原子(donor atoms)。
    如圖16. 9(a)所示，每個五價原子（在這種情況下是銻）與4個相鄰的硅原子形成共價鍵。與硅原子形成共價鍵用掉了銻原子的4個價電子，還剩下1個多余的電子。因為這個多余的電子不被任何原子所吸引，因此就變成了1個導電電子。導電電子的數目可以通過向硅中添加的雜質原子的數目進行控制。

            
    由于這里的大多數載流子都是電子，所以以這種方式摻雜的硅（或鍺）是n型半導體（n表示電子七的負電荷）。在n型半導體中，電子禰為多數載流子( majority carrier)。盡管在n型半導體材料中多數載流子是電子，但仍然有少數空穴。這些空穴不是由所添加的五價雜質原子產生的。n型半導體中的空穴稱為少數載流子(minority carrier)。
    3．p型半導體
    為了提高本征硅中空穴的數目，要添加三價( trivalent)雜質原子。這些原子，如鋁(Al)、硼(B)、鈣(Ca)，具有3個價電子，并稱為受主原子( acceptor atoms)，因為它們在半導體的晶體結構中有1個空穴。
    如圖16. 9(b)所示，每個三價原子（例如，硼）與周圍的4個硅原子構成共價鍵。在共價鍵中使用了硼原子的所有3個價電子，但是因為共需要4個價電子，每個三價原子形成1個空穴。空穴的數目可以通過向硅中添加的三價雜質的數目進行控制。
    由于大多數載流子都是空穴，所以摻有三價雜質原子的硅是p型半導體。可以把空穴看作正電荷。在p型半導體中，空穴是多數載流子。盡管p型半導體中的多數載流子是空穴，但是仍然有少量的自由電子，它們是在熱激發產生電子空穴對時產生的。這些少數的自由電子不是通過添加三價雜質原子產生的。在p型半導體中的電子是少數載流子。