在圖11-24(b)中也注意到兩個接地噪聲電壓是由瞬態電源電流產生的，但它們極性相反，A15218而且包含IC的接地平面部分兩端的凈電壓是零。因此，連接到板的任何電纜的共模輻射也將顯著減小。

   因此，在一個IC上用兩個去耦電容顯著地減小了由瞬態電源電流所導致的共模輻射和差模輻射。為了再減小相同量的輻射，需要額外的兩個電容，這樣將使總電容數為4。為了再減小相同的輻射量將再需要額外的四個電容，這將使總數達到8個電容，以此類推。每次電容數量必須翻倍。

   那么，哪里是最大的投資回報呢？很清楚，回報來自第二個電容的增加。這個結果導致一個問題，為什么曾經用少于兩個電容去給一個IC去耦，是因為用那么小的成本能提供如此多的改進嗎？

   上面的討論導致有關數字IC去耦的下述建議：

   ·在一個DIP上最少用兩個電容，將電容接在封裝的兩端。

   ·在一個小的方形IC封裝（例如四方扁平封裝）上最少用四個電容，四個邊每個邊接一個電容。

   ·產生大的瞬態電源電流的許多大型IC(例如，微處理器)通常需要許多的去耦電容（在 一堂情況下，電容數量是幾百個）。要單獨分析這些IC的去耦要求。

   另外，如上面和11.4節所討論的有效去耦將使VCC對地噪聲電壓的幅度最小化，這將減小對VcC總線的干擾，且顯著減小由于將這些噪聲耦合到電路板上的其他IC嗍薩生的輻射。