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對于屏蔽機箱中板上的高頻信號

發布時間:2014/4/24 20:35:37 訪問次數:893

     這基本上是在圖16-18中間加一個緊耦合的電源一地平面對的8層板。這種結構典型的層間距為0. 006in/0. 006in/0. 015in/0. 006in/0. 015in/0. 006in/0. 006in。0.006in的層間距允許信號層與它們各自的返圓平面之間緊耦合以及電源和接地平面之間緊耦合,T242D396K050BS這也提高了500MHz以上的去耦。這種結構滿足目標1、2、3、5和6,但不滿足4。這是一個具有良好的信號完整性的性能完美的結構,因為緊耦合的電源/接地平面通常優于圖16-20的疊層。圖16-21的疊層通過在第4層~第5層上使用某種嵌入式PCB電容技術提高高頻去耦還能進一步改進。對于高頻信號這是我喜歡的結構之一。

         

   對于屏蔽機箱中板上的高頻信號(有500MHz以上的諧波),圖16-21的疊層通常會成為首選。對于低頻和(或)產品放在非屏蔽機箱中,圖16-20的疊層因為為信號層提供了屏蔽可成為首選。

    圖16 - 21具有良好信號完整性和EMC性能的優秀8層PCB疊層。這種結構在板的中心有一對緊耦合的電源一地平面。這種結構滿足6個目標中的注意以上三種8層板都滿足6個目標中的5個。

   如果需要分割電源平面,可以用圖16-22所示的可以接受但不夠理想的8層板。它有兩個分割的電源平面和4個布線層。這個疊層典型的層間距是0. 006in/0. 006in/0. 015in/0. 006inl0. 015inl0. 006in/0. 006in。因為分割的電源平面到內部信號層(第3層和第6層)的距離是接地平面到內部信號層(第2層和第7層)距離的三倍,接地平面上有75%的信號返回電流,分割的電源平面上只有25%(表10-3)。這將使分割電源平面的不利影響減少6dB。這種結構滿足目標1、2、4和5,但不滿足3或6。

         

     圖16—22可以接受但不夠理想的8層板的疊層。有4個信號層和兩個分割的電源平面。這種結構滿足6個目標中的4個    -

   使用8層以上的板具有很少的EMC優勢。超過8層的板通常只在需要額外信號布線層時使用。如果需要6個布線層,則應用10層板。



     這基本上是在圖16-18中間加一個緊耦合的電源一地平面對的8層板。這種結構典型的層間距為0. 006in/0. 006in/0. 015in/0. 006in/0. 015in/0. 006in/0. 006in。0.006in的層間距允許信號層與它們各自的返圓平面之間緊耦合以及電源和接地平面之間緊耦合,T242D396K050BS這也提高了500MHz以上的去耦。這種結構滿足目標1、2、3、5和6,但不滿足4。這是一個具有良好的信號完整性的性能完美的結構,因為緊耦合的電源/接地平面通常優于圖16-20的疊層。圖16-21的疊層通過在第4層~第5層上使用某種嵌入式PCB電容技術提高高頻去耦還能進一步改進。對于高頻信號這是我喜歡的結構之一。

         

   對于屏蔽機箱中板上的高頻信號(有500MHz以上的諧波),圖16-21的疊層通常會成為首選。對于低頻和(或)產品放在非屏蔽機箱中,圖16-20的疊層因為為信號層提供了屏蔽可成為首選。

    圖16 - 21具有良好信號完整性和EMC性能的優秀8層PCB疊層。這種結構在板的中心有一對緊耦合的電源一地平面。這種結構滿足6個目標中的注意以上三種8層板都滿足6個目標中的5個。

   如果需要分割電源平面,可以用圖16-22所示的可以接受但不夠理想的8層板。它有兩個分割的電源平面和4個布線層。這個疊層典型的層間距是0. 006in/0. 006in/0. 015in/0. 006inl0. 015inl0. 006in/0. 006in。因為分割的電源平面到內部信號層(第3層和第6層)的距離是接地平面到內部信號層(第2層和第7層)距離的三倍,接地平面上有75%的信號返回電流,分割的電源平面上只有25%(表10-3)。這將使分割電源平面的不利影響減少6dB。這種結構滿足目標1、2、4和5,但不滿足3或6。

         

     圖16—22可以接受但不夠理想的8層板的疊層。有4個信號層和兩個分割的電源平面。這種結構滿足6個目標中的4個    -

   使用8層以上的板具有很少的EMC優勢。超過8層的板通常只在需要額外信號布線層時使用。如果需要6個布線層,則應用10層板。



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