電渦流形成范圍
發布時間:2014/11/4 18:06:38 訪問次數:1929
電渦流的徑向形成范圍線圈一導體系統產生的電渦流密度既是線圈與導體間距離石的函數,G4PC40K又是沿線圈半徑方向r的函數。當x-定時,電渦流密度t,與半徑r的關系曲線如圖3-22所示。
圖3-22電渦流密度I,與半徑r的關系曲線
圖中厶為金屬導體表面電渦流密度,即電渦流密度最大值。Jr為半徑r處的金屬導體表面電渦流密度。由圖3-22可知:
@電渦流徑向形成的范圍大約在傳感器線圈外徑r。。的1.8~2.5倍范圍內,且分布木均勻。
@電渦流密度在短路環半徑r =0處為零。
@電渦流的最大值在附近的一個狹窄區域內。
@可以用一個平均半徑為的短路環來集中表示分散的電渦流(圖中陰影部分)。
電渦流的徑向形成范圍線圈一導體系統產生的電渦流密度既是線圈與導體間距離石的函數,G4PC40K又是沿線圈半徑方向r的函數。當x-定時,電渦流密度t,與半徑r的關系曲線如圖3-22所示。
圖3-22電渦流密度I,與半徑r的關系曲線
圖中厶為金屬導體表面電渦流密度,即電渦流密度最大值。Jr為半徑r處的金屬導體表面電渦流密度。由圖3-22可知:
@電渦流徑向形成的范圍大約在傳感器線圈外徑r。。的1.8~2.5倍范圍內,且分布木均勻。
@電渦流密度在短路環半徑r =0處為零。
@電渦流的最大值在附近的一個狹窄區域內。
@可以用一個平均半徑為的短路環來集中表示分散的電渦流(圖中陰影部分)。
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