光生伏特效應：在光HCF4051BE線作用下能夠使物體產生一定方向電動勢的現象稱為光生伏特效應。基于該效應工作的器件有光電池和光敏晶體管等。

   @勢壘效應（結光電效應）：接觸的半導體和PN結中，當光線照射其接觸區域時，便引起光電動勢，這就是結光電效應。以PN結為例，當光線照射PN結時，設光子能量大于禁帶寬度E。，使價帶中的電子躍遷到導帶，從而產生電子一空穴對，在阻擋 層內電場的作用下，被光激發的電子移向N區外側，被光激發的空穴移向P區外側，從而使P區帶正電，N區帶負電，形成光電動勢。

   @側向光電效應：當半導體光電器件受光照不均勻時，由于載沆子濃度存在梯度，將會產生側向光電效應。當光照部分吸收入射光子的能量產生電子一空穴對時，光照部分栽流子濃度比未受光照部分的載流子濃度大，出現載流子濃度梯度，因而載流子要擴散。如果電子的遷移率比空穴的大，那么空穴的擴散不明顯，則電子向未被光照部分擴散，就造成光照射的部分帶正電，未被光照射的部分帶負電，光照部分與未被光照部分產生光電勢。