單結晶體管是一種半導體器件，它有HBFP-0405-TR1結和三個電極——一個發射極和兩個基極，所以又稱為雙基極二極管。單結晶體管具有一種重要的電氣性能——負阻特性，利用它的這一特性，可以組成弛張振蕩器、自激多諧振蕩器、階梯波發生器以及定時電路等多種脈沖單元電路，并使這些電路的結構大大簡化。

   單結晶體管的結構如圖2 - 74 (a)所示，在一塊高電阻率的N型硅片兩端，制作兩個歐姆接觸電極（接觸電阻非常小，純電阻接觸電極），分別叫做第一基極Bi和第二基極B2，硅片的另一側靠近第二基極B2處制作了一個PN結，在P型半導體上引出的電極叫做發射極E。為了便于分析單結晶體管的工作特性，通常把兩個基極B，和B2之間的N型區域等效為一個純電阻RBB，稱為基區電阻。R膃的阻值通常在2～lOkQ范圍內。