由圖可知，在溝道和柵極間形成了兩個PN結。當柵極開路時，溝道相當于一個電阻， AD7801BR其阻值隨管子型號的不同而不同，一般為數百歐到數千歐。若按圖2 - 69 (a)將漏極接正電源、源極接負電源或接地，就有漏極電流JD流過溝道，且隨漏…源極間電壓UDs的增加而增大，其關系曲線如圖2 - 69 (d)所示(UGS =OV)。

   當柵極接負電壓時，如圖2 - 69 (b)所示，PN結加上了反向偏壓，形成空間電荷區。由于空間電荷區內載流子很少，因而也叫耗盡區（或阻擋層），其性能類似絕緣體。反偏壓越大，耗盡區越寬，就向溝道中擴展使溝道變窄，溝道電阻加大，ID減小。ID流經溝道是要產生壓降的，這使得沿溝道各點與柵極的偏壓不一樣。

   在圖2 - 69 (b)中，A點電位比B點高，柵極相對于A點的反偏壓就會大于B點的反偏壓，于是造成圖中A點處耗盡區伸人的比B點處要多，形成如圖所示耗盡區形狀。當負柵壓繼續增加時，耗盡區就會愈來愈厚，甚至使兩邊耗盡區在溝道中間相合，如圖2 - 69

(c)所示，致使導電溝道合攏，ID完全消失，這種現象稱為夾斷，這時所加的柵一源極間電壓叫夾斷電壓UP。

   從上述現象可以看到，場效應管的潺、源、柵極分別具有類似電子管的屏、陰、柵極的功能。與普通晶體管不同，它的柵、源極之間是一個反向偏置的PN結，因而輸入電阻極大，一般在數百兆歐以上。它的漏極電流由單一載流子形成，例如，N溝道場

效應管中為電子，P溝道場效應管中為空穴，電流受到垂直于電流通路的電場大小的控制；對比之下，晶體管則是由一個反偏的集電結和一個正偏的發射結結合而成，載流子有電子也有空穴。因此，場效應管常被叫做單極晶體管，而普通晶體管卻被叫做雙

極晶體管。