為了獲得更高的輸入電阻和便于制作集成電路，又開發出將柵極絕緣的另一種場效應管——絕緣柵場效應管， AD780AN其內部結構如圖2 - 70 (b)所示，可以看出它與圖2- 70 (a)結型場效應管結構主要不同處在于它的柵極是從二氧化硅上引出，柵極是與源、漏極緣的，絕緣柵場效應管也因此得名。

    絕緣柵(MOS)場效應管有耗盡型和增強型之分。當UGS =0時，源漏之間就存在導電溝道的，稱為耗盡型場效應管；如果必須在I ucsl >o的情況下才存在導電溝道的，則稱為增強型場效應管。因此絕緣柵場效應管有N溝道耗盡型、N溝道增強型、P溝道耗盡型、P溝道增強型四種類型。

   由于絕緣柵場效應管柵極是絕緣的，故輸入電流幾乎為零，輸入電阻，一般在l012 Q以上，比結型場效應管要高幾個數量級。但這也帶來一些麻煩：由于柵極絕緣，柵漏極反向電流極小，柵漏結相當于一個具有非常大電阻的電容器，若有一把外殼沒有接地的電烙鐵，用手碰一下管腳，就能使柵漏結被感應充電，充電電壓足以超過擊穿電壓，使管子被燒毀，所以，對于MOS場效應管要拿它的外殼，切勿拿它的管腳；存放管子時，必須將管腳擰在一起，或用金屬環將所有管腳短路。不過，最近出現了在管內加有保護二極管的MOS場效應管，使用時可與結型場效應管一樣方便。