單向晶閘管的管芯是來用摻雜技術在一片很薄的單晶硅片上制成的四層疊合半導體， D780BRZ四層的排列為Pl、Nl、P2、N2，如圖2- 72 (a)所示。在四層半導體器件的每對P、N層之

間均形成一個PN結，共形成Jl、J2、J3三個PN結。

   從四個PN層中的Pl層引出一個電極，稱為陽極A；從N2層引出一個電極，稱為陰極K；從P2層引出一個電極，稱為控制極G，這樣就形成了一個由四個層、三個引出端組成的半導體器件，這個器件稱為單向晶閘管。

   為了便于說明單向晶閘管的工作原理，我們可以把圖2 - 72 (a)看成是由兩個部分組成的，如圖2 - 72 (b)所示。

   在圖2- 72 (b)的左下部分正好是一個NPN型晶體管；右上部分則是一個PNP型晶體管。對于這樣一種結構關系，我們可以用電路的形式來表示，如圖2 - 72 (c)所示。