飽和區。當U。。減小到一定程度(U。時)。特性曲線簇中每一條曲線都向下彎曲，即I。NE592N8迅速下降，每條曲線上出現一個轉折點，如圖中a，、a。…，這些點可粗略地認為是Ucb =0（即U。。=Ub。）的點，把曲線簇中每條曲絨的這種轉折點連成的曲線稱為臨界飽和線（圖3-35中左邊的虛線），這條虛線以左至縱坐標軸之間為飽和區。在飽和區中工e對J。的控制作用很小，基本上沒有什么電流放大作用。

   最大允許集電極電流ICM限制區。從晶體管手冊的參數表中可以查到極限參數ICM的值，例如，3AG20的ICM =lOmA。

   晶體管的工作電流不可以超過這個極限值，所以把曲線簇圖上在這個限值(ICM)以上的區域稱為最大允許集電極電流限制區。

   擊穿區。前面說過，當Uce增大超過Ub時，管子就出現擊穿。

   根據不同Ib所作出的每一條輸出特性曲線上，都有一個擊穿電壓BUc。，例如，Jn=0的這條曲線的擊穿電壓為BUce =17. 5V，Ib一30pz,A曲線上擊穿電壓為BUce2 =16. 7V,  Ib一50pLA的曲線上擊穿電壓為BUc。s =16V。

   把BU。，、BU。。。、BU ce。這些擊穿電壓點連接起來就成了一條擊穿電壓的臨界線，晶體管的工作電壓U ce超過這條線就會使集電極電流急劇增大，引起管子損壞，把這條臨界線以右的區域稱為擊穿區。

   集電極最大允許耗散功率PCM限制區。從晶體管手冊的參數表中可以查到極限參數PCM的值(例如，3AG25昀PCM一50MW)，它就是集電極上最大允許的耗散功率。

   晶體管工作在放大狀態時，發射結的正向電壓較小，集電結反向電壓較大，但通過兩個結的電流近似相等，即I。≈I。，因此，晶體管的消耗功率主要是指消耗在集電結上的功率，用Pc表示。。