氮化物半導體異質結構材料中,量子阱、量子線、量子點等二維、一維以BAV170-NXP及零維材料的電子能帶結構與三維體材料的電子能帶結構有著本質的差異,因此存在著光電性質的差別。首先,由于量子限制效應,低維結構的導帶以及價帶中會形成一系列的子帶及分立能級。在InGaN/GaN量子阱中,InGaN層為阱層,GaN為壘層,電子和空穴在InGaN阱中產生量子限制效應,即電子態在垂直于阱層的方向發生量子化,在導帶與價帶中形成分立能級。從導帶底或價帶頂算起的量子化能級通常可用有效質量近似的方法算得。在無限深阱的近似下,量子化的能量為。圖⒈26中各量子化能級分別用量子數刀=1,2,3・¨標示。這樣,一般意義上的帶間躍迂主要是導帶子帶與價帶子帶之間的躍遷。這些光學躍遷會遵循躍迂的選擇定則,除了通常的能量守恒及動量守恒外,量子阱中的帶間躍遷的選擇定則為Δ刀=0。總的來說,量子線、量子點材料的帶間躍遷除了取決于低維材料的維度外,與低維結構具體的尺寸、形貌等很多因素有關。