德國osram公司早期的產品是以sic作為襯底材料的。它相繼推出了aton和nota
系列產品。近期，osram的產品和研發方向也是基于薄膜芯片技術的，其最新研發的
thingan topled采用藍寶石作為襯底材料，運用鍵合、激光剝離、表面微結構化和使
用全反射鏡等技術途徑，使得芯片出光效率達到了75%。據最新的報道，目前，osram的
功率型白光led光效已經達到136 im/w。
    4)美國philips lumileds公司
    美國philips lumileds公司的功率型氮化鎵藍光led芯片采用藍寶石作為外延襯底材
料，芯片結構上則一直沿用了倒裝結構。隨著薄膜技術的發展，lumileds創造性地整合
了倒裝技術和薄膜技術，推出了全新的薄膜倒裝芯片(thin-film flip-chip，tffc)技術，
集成芯片和封裝工藝，最大限度降低了熱阻并提高了取光效率。目前，lumileds功率型
白光的研發水平已經突破140 im/w。
    5)美國semileds公司
    美國semileds公司是繼osram和cree之后采用襯底轉移技術商品化生產薄膜gan
垂直結構led的廠高。他們推出了新型的金屬基板垂直電流激發式發光二極管(metal
vert.ical photon light emitting diodes，mvpledtm)產品，其封裝成白光器件的發光效率目前可以達到120 im/w。
    6)韓國和中國臺灣地區
    目前韓國和中國臺灣地區也在積極發展照明級功率型高亮度led芯片技術，這些地方
的led產業技術正快速趕上世界領先水平，且已具備較高的水準。這些地方的主要芯片供
應商有epistar（晶元）、epivalley、forepi（璨圓）、huga（廣鎵）等。中國臺灣地區、韓國的產品以中高檔為主，所生產的功率型led芯片封裝成白光器件的發光效率一般為80～100 im/w，其中臺灣晶元光電的技術水平相對領先，其研發水平已達到120 im/w。
    1 1．國內半導體照明芯片技術的發展現狀如何？
    國內半導體照明芯片技術的發展相對國外起步較晚，技術水平離國際領先業者還存
在一定距離。不過，最近幾年，在政府有關部門的引導和支持下，國內照明級led芯片
技術的研究、開發及產業化工作取得了長足進步。特別是在“十五”國家科技攻關計劃“半
導體照明產業化技術開發”項目和“十一五”863計劃半導體照明工裎項目的引導下，國
內各大led芯片制造商及研究所依靠各自科研力量，大力投入對功率型照明級led芯片
技術的開發，技術水平不斷提升，產業化進程逐步深入，逐漸縮小了與國際領先業者的差距，取得了一系列令人鼓舞的成果。這期間經歷了“外延片從外購到自制，芯片結構從正裝到倒裝再到正裝，光效從30 im/w到60 im/w再到100 im/w”的發展歷程。
    目前，國產功率型照明級led芯片產品在光效、壽命及可靠性等性能方面都取得了

較大進展，開發出了圖形襯底、透明電極和全方位反射鏡等一系列關鍵工藝技術。在產業化方面，以三安光電為代表的國內廠商突破了100 im/w的技術大關，順利完成了863計
劃課題目標。圖1-1展示了國內上游廠商推出的各種功率型led芯片的外觀，這些芯片的
結構全部采用了技術較為成熟且制作成本較低的正裝結構。國產芯片有望憑借優越的性能和極具競爭力的價格優勢在“十城萬盞”試點示范工程、大尺寸液晶顯示屏背光及室內通用照明等應用領域逐步滲透并最終取代進口芯片，推動中國半導體照明產業鏈整體的健康發展和茁壯成長。

    三安光電作為國內led產業上游的龍頭企業，非常注重技術創新。它在政府有關部
門的支持下，加大了對照明級芯片的研發和攻關力度。三安光電在不同的時期，針對研究熱點和趨勢，并結合自身需求和產業化基礎，開發出了不同特點的功率型led芯片產品
。在“十五”國家科技攻關計劃時期，三安光電開發出了基于雙向齊納硅基板的倒裝焊結構芯片；在“十一五”時期，三安光電開發出了基于圖形襯底、全方位反
射鏡等技術酌正裝結構芯片產品，該產品封裝白光器件的最高光效可達105 im/w，這可
以說是國內目前所能達到的最高水平。薄膜結構氮化鎵芯片是三安光電下一步研發的重
點，三安光電目前已完成垂直薄膜芯片的初樣試制，測試光效可達90 im/w。未來，三安
光電將從薄膜氮化鎵芯片的外延結構設計，永久襯底的選擇和黏合工藝，生長襯底的剝離工藝，反射性p電極系統的設計和制作工藝，氮極性面n型歐姆接觸制作工藝，出光表
面的粗化工藝，光子晶體技術在薄膜芯片的應用七個方面著手，攻關150 im/w照明級薄
膜氮化鎵led芯片技術并力爭實現產業化。